Transversal monomodige Ga(As)Sb-Quantenpunkt-Antimonid-Breitstreifenlaser

激光成像材料系统InAs/GaAsSind Seit et 12 Jahren bekannt.我是材料系统Ga(As)Sb/GaAsHingegen Gibt es Bisher wenige Entrprechende Bemühugen。从今天起，我们就可以从Vorbereitung的Dazu sind zwei Veröffentlichungen(dazu sind zwei Veröffentlichungen)中找到自己的工作。Durch Variance Der Molekularstrahleppaxie-参数im STranski-Krastanov-Modus Können die Quantpenkt-Eigenschaften Variert and die Emissionswellenlängen Bisher zwitchen 0,876 and 1,035微米。在傅立叶-光学横向激光(TMS)单片集成系统中，Eine和ere ergreiche Aktiität der Gruppe De Gruppe Del Sich Um Quanfires-Smomonid-Breitstreifen激射(BAL)，在傅立叶-光学横向激光(TMS)单片集成中。索尔赫·斯特鲁克图伦·辛德·吉格尼特，他的光芒在横贯一切的道路上。Aus beiden Forschungshemen，即Sb-Quanpenktlaser和BAL-TMS-LASER，即Kombination Aus beiden Forschungshemen，is kern des hier beantragten Vorhabens.除了1，3微米的排放物外，我们还必须对Ga(As)Sb-Hochleistungslaser ermöglichen的发光强度进行测量。在这一点上，我认为这是一种很好的选择，这是一种很好的选择。

Quantenpunkt-Laser im Materialsystem InAs/GaAs sind seit etwa 12 Jahren bekannt. Im Materialsystem Ga(As)Sb/GaAs hingegen gibt es bisher wenige entsprechende Bemühungen. Diejenigen der Arbeitsgruppe des Antragstellers haben zu sehr dichten Quantenpunkten sowie elektrisch gepumpt bei Raumtemperatur gepulst emittierenden Quantenpunkt-Lasern geführt (dazu sind zwei Veröffentlichungen in Vorbereitung). Durch Variation der Molekularstrahlepitaxie-Parameter im Stranski-Krastanov-Modus können die Quantenpunkt-Eigenschaften variiert und die Emissionswellenlängen bisher zwischen 0,876 und 1,035 µm eingestellt werden. Eine andere erfolgreiche Aktivität der Gruppe dreht sich um Quantenfilm-Antimonid-Breitstreifenlaser (´broad area laser, BAL), in die Fourier-optische Transversalmodenselektoren (TMS) monolithisch integriert sind. Solche Strukturen sind geeignet, hohe optische Leistungen in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die Kombination aus beiden Forschungsthemen, i. e. Antimonid-Quantenpunktlaser und BAL-TMS-Laser, ist Kern des hier beantragten Vorhabens. Die Bemühungen sollten effiziente Ga(As)Sb-Hochleistungslaser ermöglichen, unter anderem auch um 1,3 µm Emissionswellenlänge. Dies ist für Anwendungen in der Nah-/Mittelinfrarot-Spektroskopie wichtig, könnte zum Beispiel aber auch relevant sein, um die nachteilbehafteten InGaAsP/ InP-Laser der optischen Nachrichtentechnik mittelfristig ersetzen zu können.