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Integrated Assembly of NeoSilicon towards Quantum Information Devices

Integrated Assembly of NeoSilicon towards Quantum Information Devices
NeoSilicon 面向量子信息器件的集成组装
批准号：
19206035
负责人：
ODA Shunri
金额：
$31.37万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206035/
关键词：
ナノ結晶シリコンナノシリコンインクディップコーティング量子情報デバイス多重結合量子ドットスピンブロッケードディップコーティング法分散溶液3重nc-Si量子ドット微小電荷検出LB膜法2重nc-Si量子ドットRF-SET

项目摘要

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中文摘要
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研究了硅化钕材料的集成组装。采用优化的硅纳米晶表面改性方法制备了纳米硅墨水，实现了纳米硅的二维阵列。利用电子束光刻技术在绝缘体上硅衬底上制备了多个耦合量子点器件，测量了器件的电子输运特性。
英文摘要
Integrated assembly of NeoSilicon materials has been investigated. Nano Si ink has been prepared using optimized surface modification of Si nanocrystals and two dimensional arrays of NeoSilicon have been realized. Electron transport characteristics have been measured from multiple coupled quantum dot devices based on Electron beam lithography of silicon-on insulator substrates.
期刊论文(130)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Size-Dependent Structural Characterization of Silicon Nanowires
硅纳米线尺寸相关的结构表征
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Japanese Journal of Applied Physics 47
影响因子： --
作者： [Saeed Akhtar, S, Oda, et al.]
通讯作者： et al.
ntegration of tunnel-coupled double nanocrystalline silicon quantum dots with a multiple gate single-electron transistor
隧道耦合双纳米晶硅量子点与多栅极单电子晶体管的集成
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Japanese Journal of Applied Physics 46(7A)
影响因子： --
作者： [Y. Kawata, M. Khalafalla, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta and S. Oda]
通讯作者： H. Mizuta and S. Oda
Removal of Surface Oxide Layer from Silicon Nanocrystals by HF Vapor Etching
通过高频气相蚀刻去除硅纳米晶表面氧化层
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoshifumi Nakamine, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Shunri Oda]
通讯作者： Shunri Oda
2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶の作製とフォトニックバンドギャップ効果
二维刻蚀和光子带隙效应制备三维硅光子晶体
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [筆宝大平, 土屋良重, 水田 博, 浦川 圭, 越田信義, 小田俊理]
通讯作者： 小田俊理
共 113 条
    Fabrication of Nanoscale Devices and Circuits using DNA Origami Technology
    • 批准号：
      24656201
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Precise position control of silicon quantum dots and fabrication of quantum information devices.
    • 批准号：
      22246040
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.2万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Self-assembled integration technologies of silicon quantum dots toward future NeoSilicon quantum information devices
    • 批准号：
      16206030
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $32.28万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Atomic scale control of high-k dielectric ultrathin film grown by atomic layer-by-layer MOCVD with using in situ spectroscopic ellipsometry monitoring
    • 批准号：
      14350160
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.66万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      ODA Shunri
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology