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Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity

Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
Nano MOSFET 波动和器件完整性
批准号：
18063006
负责人：
HIRAMOTO Toshiro
金额：
$32.77万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063006/
关键词：
特性ばらつきしきい値電圧SOISRAMMOSFET半導体不純物揺らぎ微細化VLSIランダムテレグラフノイズ正規分布半導体超微細化基板バイアス効果低消費電力不純物ゆらぎ

项目摘要

项目成果

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中文摘要
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通过测量和模拟研究了随机变异性。研究表明，埋有极薄氧化物的SOI mosfet对随机掺杂波动的敏感性较低。提出了一种芯片制作后自抑制变异性的新方法，并通过仿真验证了该方法的有效性。
英文摘要
Random variability has been studied by measurements and simulation. It has been clarified that SOI MOSFETs with very thin buried oxide is less sensitive to random dopant fluctuations. A new method of self-suppression of variability after chip fabrication has been proposed and its validity has been demonstrated by simulation.
期刊论文(68)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Measurements and characterization of statistical variability
统计变异性的测量和表征
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [Yutaro, Mukudai・Tomotsugu, Shimokawa・Akihiro, Nakatani, T.Hiramoto]
通讯作者： T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
通过后加工自收敛技术改善 SRAM 中的静态噪声容限
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto]
通讯作者： T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
利用后加工自收敛技术改进静态噪声容限SRAM
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto, Makoto Suzuki]
通讯作者： Makoto Suzuki
Vth Dependence of Vth Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs with Ultra-Thin BOX
具有超薄 BOX 的本征通道 SOI MOSFET 中 Vth 变化的 Vth 依赖性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [C.Lee, A.T.Putra, K.Shimizu, T.Hiramoto]
通讯作者： T.Hiramoto
共 53 条
    Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
    • 批准号：
      26630148
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      HIRAMOTO Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Basic research on ultra-low voltage MOS transistors aiming at sub-100mV operation
    • 批准号：
      25630135
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      HIRAMOTO Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    A research on silicon nano-devices for single-electron, quantum, CMOS integrated circuits operating at room temperature
    • 批准号：
      16201029
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.7万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      HIRAMOTO Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Exploration of Physics and Integration of Nano-Scale MOSEFET with Suppressed Fluctuations
    • 批准号：
      13450135
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.47万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      HIRAMOTO Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo