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Herstellung und Charakterisierung von amorphen (SiC)1-x(AlN)x:H-Filmen mittels DC-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung

Herstellung und Charakterisierung von amorphen (SiC)1-x(AlN)x:H-Filmen mittels DC-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung
采用直流磁控溅射和脉冲激光沉积非晶 (SiC)1-x(AlN)x:H 薄膜的制备和表征
批准号:
5440923
负责人:
Professor Dr. Albrecht Winnacker
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2007-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
他说:“这是一件非常重要的事情。”Das赝品系统(SIC)1-x(AIN)x Ermöglicht die Einstellung einer gewünschten Bandlücke(“带隙工程”)。这是一种新的制度,它不仅适用于我们的生活,而且也适用于我们。Es Sollen dünne,amorphe(Ic)1-x(Ain)x:H-Filme Mittels DC-,RF-Magnetronzerstäubung and Gepulster Laserabscheidung an der PUCP(Pontiffia University Catolica Del Pontiffia University Catolica Del PUCP)在秘鲁利马和秘鲁的利马。澳大利亚的材料和材料,(多)结晶碳化硅和AIN-靶材,在埃尔兰根大学,以及Gegensatz zu den kommerziell erhältlichen Keramik-目标,在盐湖非晶Schichten和Gewährleisten。这是一件非常重要的事情,因为这是一件非常重要的事情。Es在底温(12K/1000K)下的ABHänGigkeit von Substratature(Von 12K BIS 1000K)中进行原位合成。Zusätzlich将手套传递给其他人。这是一种特殊的摄影技术,它的特点是。光学本征是光致发光和光学吸附的结合。在此基础上,我们将为您提供更多的信息和服务。
英文摘要
Die einkristallinen Verbindungshalbleiter SiC und AIN eignen sich wegen ihrer großen Bandlücken beispielsweise für optoelektronische Bauelemente im ultravioletten Spektralbereich. Das pseudobinäre System (SiC)1-x(AIN)x ermöglicht die Einstellung einer gewünschten Bandlücke ("band-gap engineering"). Das entsprechende amorphe System zeichnet sich durch seine einfache und damit kostengünstige Herstellung aus. Es sollen dünne, amorphe (SiC)1-x(AIN)x:H-Filme mittels DC-, RF-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung an der PUCP (Pontificia Universidad Catolica del Peru)in Lima, Peru hergestellt und untersucht werden. Ausgangsmaterial sind hochreine, (poly-) kristalline SiC- und AIN-Targets, hergestellt an der Universität Erlangen, welche im Gegensatz zu den kommerziell erhältlichen Keramik-Targets, die Herstellung von amorphen Schichten in Halbleiterqualität gewährleisten. Der Einfluss der Prozessgase Wasserstoff und Stickstoff auf die Halbleitereigenschaften und die Bandlücke der Filme wird untersucht. Es werden in-situ-Messungen der Leitfähigkeit durchgeführt und in Abhängigkeit von der Substrattemperatur (von 12 K bis 1000 K) untersucht. Zusätzlich wird mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Elektronenbeugung die amorphe Struktur bestimmt. Die Charakterisierung mittels Photoemissionsspektroskopie gibt Aufschluss über die Bindungstypen. Die optischen Eigenschaften werden mittels Photolumineszenz und optischer Adsorption gemessen. Mit der Durchführung dieses Projektes soll die bestehende Arbeitsgruppe an der PUCP im Bereich der Materialwissenschaften unterstützt und zusätzlich die Forschungskapazitäten durch Gerätespenden erheblich gesteigert werden.
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Herstellung und Charakterisierung von amorphen (SiC)1-x(AlN)x:H-Filmen mittels DC-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung
  • 批准号:
    5440935
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    Professor Dr. Albrecht Winnacker
  • 依托单位:
Entwicklung eines Prozesses zum homoepitaktischen Wachstum von (01-15)-orientiertem SiC aus der flüssigen Phase
  • 批准号:
    17485066
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    Professor Dr. Albrecht Winnacker
  • 依托单位:
Untersuchungen zur Entwicklung von phosphoreszierenden Nanopartikeln als Marker für die Bioanalytik und medizinische Diagnostik
  • 批准号:
    5422075
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Professor Dr. Albrecht Winnacker
  • 依托单位:
Grundlegende Untersuchung von effektiver Lumineszenz konzentrierter Seltenerd-Ionen Systeme
  • 批准号:
    5426186
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Professor Dr. Albrecht Winnacker
  • 依托单位:
海外基金