Untersuchung von InN-basierenden Transistorstrukturen

在耶赫布利希格瓦克森旅馆里，雅伦是哈布利特材料旅店的一员。Forschungen Waren zunächst vornehmlich der Epanaxie von Inn，der Verbeserung der Schichtqualität der Bstimmung grundlend Materialeigenschaften gedget。德国铁路运输公司(Höchste Diftgeschwindigkeit aller bekannten Halbleiter，sehr Hohe Beweglichkeit)和Eine Bandlücke von etwa 0.7 eV.公司名称：Daraus Resultieren groçe Erwartongen zum Potential von Inn Inn Als材料für超细管晶体管和光电材料。您的位置：凡人谷知道>地区>德国和德国。一位叫斯黛尔的柴油司机把这项工程安排得很好。您的位置：我也知道>地区>国际贸易>和国际贸易组织/国际贸易组织。Dazu Sollen für Transistoren Geeignete Inn-Heterostrukturen gewachsen，Charakterisiert and zu Transistoren prozessiert.Besondere Aufmerksamkeit与Bstimmung der für Transistoren相关的Eigenschaften der Inn-Heterostrukturen Getget。Zur Erreichung Dieser Ziele den Drei Fachgebiete der TU Ilmenau(纳米技术，Festkörperelektronik，Technische Physik I)，Deren arbeiten auf den Gebieten Ep itaxie，Analytik and Hochfreenzenzoren den stand der Forschung mitbstimen，Eng miteinander koopieren and folgende Forschungsschpenkte beiten：-理论，模拟和设计von Inn-Heterostrukturen。-外延Wachstum von Inn-Heterostrukturen für Transistoren.-Umfassende inn-Heterostrukturen and Bstimmung der für Feldeffekt晶体管oren相关Eigenschaften的实验。Insbeondere die schichtqualität，die Elektronenakumululation an Inn-GrizfläChen and der Elektronentry Transport in Inn untersuht.-Entwurf，Prozessierung and Charakterisierung von Transistordemonstratoren auf-base。在德国Bauelementen的一家国际智商材料店和一家钢铁厂。

In den letzten Jahren ist das Interesse am Halbleitermaterial InN erheblich gewachsen. Die Forschungen waren zunächst vornehmlich der Epitaxie von InN, der Verbesserung der Schichtqualität und der Bestimmung grundlegender Materialeigenschaften gewidmet. Die Ergebnisse zeigen u.a. hervorragende Transporteigenschaften für Elektronen (höchste Driftgeschwindigkeit aller bekannten Halbleiter, sehr hohe Beweglichkeit) und eine Bandlücke von etwa 0.7 eV. Daraus resultieren große Erwartungen zum Potential von InN als Material für ultraschnelle Transistoren und optoelektronische Bauelemente. Mittlerweile gibt es erste Arbeiten zu InN-Bauelementen und kürzlich wurde der erste funktionsfähige InN-Transistor vorgestellt. An dieser Stelle setzt das beantragte Projekt an. Die Ziele des Vorhabens sind die Realisierung und Charakterisierung von InN-Feldeffekttransistoren. Dazu sollen für Transistoren geeignete InN-Heterostrukturen gewachsen, charakterisiert und zu Transistoren prozessiert werden. Besondere Aufmerksamkeit wird der Bestimmung der für Transistoren relevanten Eigenschaften der InN-Heterostrukturen gewidmet. Zur Erreichung dieser Ziele werden drei Fachgebiete der TU Ilmenau (Nanotechnologie, Festkörperelektronik, Technische Physik I), deren Arbeiten auf den Gebieten Epitaxie, Analytik und Hochfrequenztransistoren den Stand der Forschung mitbestimmen, eng miteinander kooperieren und folgende Forschungsschwerpunkte bearbeiten: - Theorie, Simulation und Design von InN-Heterostrukturen. - Epitaktisches Wachstum von InN-Heterostrukturen für Transistoren. - Umfassende experimentelle Untersuchung der InN-Heterostrukturen und Bestimmung der für Feldeffekttransistoren relevanten Eigenschaften. Insbesondere werden die Schichtqualität, die Elektronenakkumulation an InN-Grenzflächen und der Elektronentransport in InN untersucht. - Entwurf, Prozessierung und Charakterisierung von Transistordemonstratoren auf InN-Basis. Als Ergebnis des beantragten Projekts erwarten die Antragsteller eine erhebliche Erweiterung des internationalen Wissensstandes zum Material InN und zu seiner Anwendung in elektronischen Bauelementen.