课题基金 / 基金详情

Architectures, circuits for ultra low voltage, low power, robust SRAMS

Architectures, circuits for ultra low voltage, low power, robust SRAMS
用于超低电压、低功耗、鲁棒 SRAMS 的架构和电路
批准号:
349727-2007
负责人:
Sachdev, Manoj
金额:
$2.19万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Accelerator Supplements
财政年份:
2010
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2010-01-01 至 2011-12-31

项目摘要

项目成果

Sachdev, Manoj的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
无论其应用如何,集成电路中的静态随机存取存储器(SRAM)的内容都在增加。在微处理器中,高达90%的晶体管位于嵌入式SRAM中。因此,嵌入式SRAM影响片上系统(SoC)的各个方面,如功耗、能量、产量、质量和可靠性。在这项提案中,将对SRAM的几个方面进行调查。
英文摘要
Static Random Access Memory (SRAM) content in integrated circuits is increasing irrespective of its application. In microprocessors up to 90% of transistors are in embedded SRAMs. Therefore, embedded SRAMs influence various aspects of Systems on Chip (SoC) such as power, energy, yield, quality, and reliability. In this proposal, several aspects of SRAMs will be investigated.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Exploring Memory and Digital Circuit Boundaries for Energy Efficient Hardware
  • 批准号:
    RGPIN-2017-05044
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $6.85万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Sachdev, Manoj
  • 依托单位:
Exploring Memory and Digital Circuit Boundaries for Energy Efficient Hardware
  • 批准号:
    RGPIN-2017-05044
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $3.42万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    Sachdev, Manoj
  • 依托单位:
Exploring Memory and Digital Circuit Boundaries for Energy Efficient Hardware
  • 批准号:
    DGDND-2017-00080
  • 项目类别:
    DND/NSERC Discovery Grant Supplement
  • 资助金额:
    $2.91万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    Sachdev, Manoj
  • 依托单位:
Exploring Memory and Digital Circuit Boundaries for Energy Efficient Hardware
  • 批准号:
    RGPIN-2017-05044
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $3.42万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    Sachdev, Manoj
  • 依托单位:
海外基金