Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V

GaN和Nitrures III-N bénéffent des PropriétéS INTERSANTES(GAP DIRECT，高级移动通讯专员)Qui ont permis aux autres III-V de dépasser le Silicium dans Sure Applications Comme la Photoonique et les Composants Hyperréquence。从环境敌军(高温、强辐射)和高级紧张局势中，我们可以看到一个巨大的中间地带和一片广阔的空间。利用发光二极管检测L和L的身体状况，例如S和甘肃不能参加2014年诺贝尔物理学奖。*成功的S、L的第三至第五阶段的技术障碍和自然复杂的S界面(DIT)S。CESétats公司推出了L的产品--费米表面晶体管和表面晶体管MOSFET。L的思想，S的思想和不稳定的思想，是一种自我介绍。ILS增强了重组的表现力和表现力，增强了表现力和表现力。《表面钝化技术与技术》《L表面钝化新技术批判与展望》《S表面钝化技术方案建议：(I)发展S等离子体表面钝化技术方案》。(2)优化程序S对n-GaN和p-GaN进行了优化，使S的技术水平得到了提高，但最终发展到了技术水平。(Iii)适配器CES ProcédéS Pour les Intégrer Dans la Facing de Dispostif III-N(HEMTs，MOSHEMTs Pour les Applications RF et Pour L‘éElectrtronique depuhance，LED)。再加上这些方面的技术，我们的程序不同于传统的表面处理技术，例如表面处理技术III-N和发展技术。联合国努力使半导体三到五种公共材料(砷化镓、铟镓、铟磷等)的钝化和表面微细加工变得稀有微米/纳米加工工艺和工艺。*半导体三至五种半导体(砷化镓、砷化铟、铟磷等)。*有关半导体三至五种化学性质的程序，以及稀有的微/纳米加工工艺与工艺。在L的参与下，L的创新引领着技术的蓬勃发展，冲击着工业和科学。

Le nitrure de gallium (GaN) et les nitrures III-N bénéficient des propriétés intéressantes (gap direct, haute mobilité des porteurs) qui ont permis aux autres III-V de dépasser le silicium dans certaines applications comme la photonique et les composants hyperfréquence. Leur large bande interdite en fait le matériau de choix pour les dispositifs électroniques de puissance destinés à fonctionner dans des environnements hostiles (haute température, forte irradiation) et en haute tension. Les diodes électroluminescentes (LED) utilisées pour les téléviseurs ACL et pour l'éclairage, constituent un bel exemple du succès du GaN dont les apports ont été reconnus par l'octroi du prix Nobel de physique 2014. ***Malgré ces succès, la technologie GaN à l'instar des III-V reste handicapée par les problèmes liés à la nature complexe de sa surface et de ses interfaces caractérisées par une très grande densité des états d'interface (Dit). Ces états peuvent induire l'ancrage (« pinning ») du niveau de Fermi en surface et bloquer ainsi la modulation du potentiel de surface des transistors MOSFET. Ils introduisent aussi de l'hystérésis, des courants de fuites et des instabilités dans les circuits électroniques. Ils augmentent aussi la vitesse de recombinaison en surface des dispositifs optoélectroniques, réduisant ainsi leurs performances et leur fiabilité. Les techniques de passivation de surface qui visent à réduire la densité des états d'interface deviennent critiques et présentent la clé technologique pour l'émergence de nouveaux dispositifs qui tirent le plein avantage des propriétés des matériaux III-N et III-V.***Ce programme de recherche se propose de : (i) Développer des procédés plasmas faibles coût pour la passivation de la surface des III-N. (ii) Optimiser ces procédés pour n-GaN et p-GaN afin d'atteindre des interfaces d'une très bonne qualité électronique avec le but ultime de développer une technologie MOS-GaN fiable. (iii) Adapter ces procédés pour les intégrer dans la fabrication de dispositifs III-N (HEMTs, MOSHEMTs pour les applications RF et pour l'électronique de puissance, LEDs). En plus des aspects technologiques, ce programme vise aussi à moyen et à long terme de travailler sur la compréhension des surfaces III-N et le développement de modèles physico-chimiques qui expliquent les mécanismes de passivation. Un travail connexe sera fait également en continuité avec mes anciens travaux sur la passivation des semiconducteurs III-V communs (GaAs, InGaAs, InP etc.).***Ce programme vise également à offrir aux étudiants qui y seront impliquées, une occasion pour développer une expertise rare sur les procédés de surface pour la micro/nano fabrication des prochaines générations de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de III-N et III-V. Il leur offre ainsi l'occasion de participer à l'innovation dans des technologies en effervescence à fort impact industriel et scientifique.**