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A Study of Ion Implanted Compound Semiconductor Materials and Devices Activated by Rapid Thermal Annealing

A Study of Ion Implanted Compound Semiconductor Materials and Devices Activated by Rapid Thermal Annealing
快速热退火激活离子注入化合物半导体材料与器件的研究
批准号：
8408743
负责人：
Pallab Bhattacharya
金额：
$22.17万
依托单位：
Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1984
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1984-07-15 至 1987-12-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8408743&HistoricalAwards=false
关键词：
StudyIonImplantedCompoundSemiconductor

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  • 批准号：
    52075316
  • 项目类别：
    面上项目
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  • 批准年份：
    2020
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  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
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  • 依托单位：
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    面上项目
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  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    吴铁洲
  • 依托单位：
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    面上项目
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  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    段宏泉
  • 依托单位：
    天津医科大学