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Hydrogen Assisted Fabrication of Optoelectronic Devices Utilizing GaAs on Si and GaAs on SiO2

利用 Si 上的 GaAs 和 SiO2 上的 GaAs 进行氢辅助制造光电器件

基本信息

批准号：
8806851
负责人：
George Collins
金额：
$ 4.8万
依托单位：
Colorado State University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1988
资助国家：
美国
起止时间：
1988-08-15 至 1989-10-31
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8806851&HistoricalAwards=false
关键词：
Hydrogen Assisted Fabrication Optoelectronic Devices

项目摘要

The research involves the study of hydrogen atoms in the MOCVD growth process and is highly innovative. Because of its strong relation to materials, only "bridging" support can be recommended until the PI submits a proposal that addresses issues of common interest to the Lightwave Technology Program and DMR. The work has already attracted the interest of ATT Bell Labs and could have important impact on layer growth. //

本研究涉及MOCVD生长中氢原子的研究过程，具有很强的创新性。因为它与材料，只有“桥接”的支持，可以建议，直到PI 提交一份提案，解决共同关心的问题，光波技术计划和DMR。这项工作已经吸引了 ATT贝尔实验室的兴趣，并可能对层产生重要影响增长//

项目成果

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通讯作者：
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