Effects of Photons on Gallium Arsenide Epitaxy

光子对砷化镓外延的影响

• 批准号: 9108456
• 负责人: George Collins
• 金额: $ 3.5万
• 依托单位: Colorado State University
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1991-04-15 至 1992-09-30
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9108456&HistoricalAwards=false
• 关键词: Effects; Photons; Gallium; Arsenide; Epitaxy

The goal of this project is to ascertain the influence of vacuum ultraviolet radiation (1200A) on the epitaxial crystallization of gallium arsenide (GaAs). A definitive study is planned to quantitatively assess the epitaxial growth rate and the crystalline quality of GaAs films synthesized under conditions such that the flux of ultraviolet radiation is varied over four orders of magnitude while other growth parameters are held essentially constant. The results of this study could have a significant impact on fundamental understanding of vapor phase epitaxy, and may provide a means for lowering the temperature requirements of epitaxial crystallization of technologically important electronic and photonic materials without compromising the exceedingly high crystal quality needed for advanced electronic and photonic devices.

这个项目的目的是确定真空的影响 紫外辐射（1200A）对外延结晶的影响 砷化镓（GaAs）。 计划进行一项确定性研究， 定量评估外延生长速率和晶体 质量的GaAs薄膜合成的条件下， 紫外线辐射的通量在四个数量级上变化， 幅度，而其他增长参数基本上保持不变 常数 这项研究的结果可能会有一个显着的 影响了对气相外延的基本理解，并可能 提供了一种降低温度要求的方法， 外延结晶技术的重要电子 和光子材料，而不损害极高的 先进的电子和光子技术所需的晶体质量 装置.