Verkapselte CMOS-kompatible mikromechanische Hochfrequenz-Resonatoren in SOI

采用 SOI 封装的 CMOS 兼容高频微机械谐振器

基本信息

项目摘要

Ziel des Vorhabens ist der Entwurf, die Modellierung, die Realisierung und Charakterisierung von auf Substratebene hermetisch verkapselten mikromechanischen Resonatoren hoher Güte (>1000) für Frequenzen oberhalb von l GHz in monokristallinen SOI(Silicon-On-Insulator)- Substraten für vollständig integrierte frequenzselektive Nachrichtensysteme. Durch Aufbau vorzugsweise von Ringresonatorstrukturen im monokristallinen Silizium - realisiert in der oberflächennahen Monosilizium-Mikromechanik - und deren Anregung durch tiefe Spalte mit Weiten von wenigen 10nm - realisiert durch eine Spacertechnik im Zuge der Abscheidung von Opfer- und Elektrodenschichten - können so die hervorragenden mechanischen Eigenschaften des monokristallinen Siliziums wie Dauerschwingfestigkeit, Hysterese- und Driftfreiheit sowie vernachlässigbare mechanische Verluste kombiniert werden mit den Vorzügen der Siliziumöberflächenmikromechanik wie geringen Koppelverlusten und Ansteuerspannungen. Die Freilegung der Resonatoren erfolgt von der Rückseite durch Kanäle in den auf wenige 10 um gedünnten Siliziumsubstraten. Da die Oberseite keinen Freiätzprozess erfordert, ist der Herstellungsprozess nicht nur vollständig kompatibel mit der CMOS-Technologie. Durch Entfernen der Opferschichten durch enge Zugänge von der Substratrückseite - erzeugt ebenfalls in der oberflächennahen Monosilizium-Mikromechanik - können die Systeme außerdem ohne zusätzliche Montageschritte durch Verschluss der rückseitigen Ätzkanäle in einem PECVD-Prozess bei niedrigem Druck hermetisch dicht verkapselt werden.
Ziel des Vorhabens ist der Entwurf,die Modelierung,die Realisierung und Charakterisierung von auf Substratebene hermetisch verkapselten mikromechanischen Resonatoren hoher Güte(>1000)für Frequenzen oberhalb von l GHz in monokristallinen SOI(Silicon-On-Insulator)- Substraten für vollständig integrierte frequenzselektive Nachrichtensysteme。单晶硅中环形谐振器结构的设计--在单晶硅微机械中实现--并通过10 nm的微尺寸Spalte实现--通过一种空间技术实现单晶硅的光学和电学特性,Hysterese- und Driftfreiensowie vernachlässigbare mechanische Verluste kombiniert韦尔登韦尔登mit den Vorzügen der Siliziumöberflächenmikromechanik wie geringen Koppelverlusten und Ansteuerspannungen. Die Freilegung der Resonatoren erfolgt von der Rückseite durch Kanäle in den auf wenige 10 um gedünnten Siliziumsubstraten.虽然Oberseite没有自由工艺,但Herstellungsprozess并不完全与CMOS技术兼容。通过对基底材料的充分利用,可以在单硅-微机械系统中实现最佳的操作,该系统通过在一个PECVD-过程中对基底材料进行再加工,从而实现韦尔登的印刷。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Professor Dr.-Ing. Jörg Müller其他文献

Professor Dr.-Ing. Jörg Müller的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Professor Dr.-Ing. Jörg Müller', 18)}}的其他基金

Paramagnetischer Sauerstoffsensor in Mikrosystemtechnik
微系统技术中的顺磁氧传感器
  • 批准号:
    213734975
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants (Transfer Project)
Multiparameter -Sensor-Mikrosystem für die Meeresforschung
用于海洋研究的多参数传感器微系统
  • 批准号:
    163148141
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Paramagnetischer Sauerstoffsensor in Mikrosystemtechnik
微系统技术中的顺磁氧传感器
  • 批准号:
    50500091
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Abstimmbare polarisationsunabhängige Koppler, Polarisationsdreher und Gitterkoppler in SOI-Nanowire-Technologie
采用 SOI 纳米线技术的可调谐偏振无关耦合器、偏振旋转器和光栅耦合器
  • 批准号:
    28893568
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Units
Verlustarme optische Systeme mit polarisationsunabhängigen SOI-Wellenleitern und Koppelstrukturen für die Kommunikations- und Messtechnik
用于通信和测量技术的具有偏振无关 SOI 波导和耦合结构的低损耗光学系统
  • 批准号:
    28893518
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Units
Wellenleiterstrukturen und -Komponenten für mehrlagige integriert-optische SOI-Systeme
用于多层集成光学 SOI 系统的波导结构和组件
  • 批准号:
    28893499
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Units
Gas-Injektor für Mikroanalyse-Systeme
用于微量分析系统的气体注射器
  • 批准号:
    20498373
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Planarer Mikrobrenner in Mikrosystemtechnik
微系统技术中的平面微型燃烧器
  • 批准号:
    12917989
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Intravaskuläre minimal-invasive hochauflösende Magnetresonanz-Sonde in Mikrosystemtechnik mit integrierter optischer Signalübertragung
采用集成光信号传输的微系统技术的血管内微创高分辨率磁共振探头
  • 批准号:
    5450597
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Breitbandig abstimmbarer integriert-optischer Klinkenrad-Ring-Laser in dotierten Aluminiumoxid-Wellenleitern
掺杂氧化铝波导中的宽带可调谐集成光学棘轮环激光器
  • 批准号:
    5438539
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants

相似国自然基金

12英寸CMOS兼容硅基光子集成芯片制备技术
  • 批准号:
    2025C01002
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于CMOS图像传感器的X射线超快分幅成像技术研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
面向高性能计算的低温CMOS工艺设计库和芯片
  • 批准号:
    2025C01193
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
强辐射环境下CMOS 图像传感器可靠性损伤机理及缺陷演化机制研 究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
CMOS工艺下新型毫米波时控收发机芯片技术研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    30.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
面向蓝紫光的 CMOS 集成单光子探测芯片关键技术研究
  • 批准号:
    2024JJ7609
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
可重构超低温CMOS量子比特读取接收机芯片研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    15.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于CMOS生物芯片的分枝杆菌种属及耐药基因高阶多重检测系统构建
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
面向呼吸监测的CMOS-MEMS单片集成多功能传感微系统研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    30.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
CMOS兼容的硅基直接外延多波长量子点DFB激光器阵列
  • 批准号:
    62334007
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    222.00 万元
  • 项目类别:
    重点项目

相似海外基金

Exploitation of High Voltage CMOS sensors for tracking applications in physics experiments and beyond
利用高压 CMOS 传感器跟踪物理实验及其他领域的应用
  • 批准号:
    MR/X023834/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Fellowship
細胞間情報伝達の相互作用を解明するCMOSバイオイメージセンサの開発
开发CMOS生物图像传感器以阐明细胞间信息传输的相互作用
  • 批准号:
    24K17322
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
CMOS技術と融合した分子スピン量子ビットの開発
结合CMOS技术开发分子自旋量子位
  • 批准号:
    23K22802
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
植物工場での栽培モニタリングを実現する刺入型CMOSイオン・ケミカルイメージセンサ
实现植物工厂栽培监控的穿透式CMOS离子化学图像传感器
  • 批准号:
    24K00944
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase I: Subtractive-waveguide based Display for Augmented Reality Smart Glasses using Spatial-temporal Multiplexed Single-CMOS Panels
SBIR 第一阶段:使用时空复用单 CMOS 面板的基于减法波导的增强现实智能眼镜显示器
  • 批准号:
    2335927
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Standard Grant
広帯域高感度宇宙X線観測用CMOSの開発
宽带高灵敏度宇宙X射线观测CMOS的研制
  • 批准号:
    23K22540
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多階調読み出しの導入による超伝導-CMOSハイブリッドシステムの高集積・低電力化
通过引入多级读出实现超导-CMOS混合系统的高集成度和低功耗
  • 批准号:
    24K17319
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Beyond CMOSのための省配線プロセッサアーキテクチャとその自動生成に関する研究
Beyond CMOS省线处理器架构及其自动生成研究
  • 批准号:
    24K02913
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Collaborative Research: CMOS+X: A Device-to-Architecture Co-development and Demonstration of Large-scale Integration of FeFET on CMOS for Emerging Computing Applications
合作研究:CMOS X:用于新兴计算应用的 CMOS 上大规模集成 FeFET 的设备到架构联合开发和演示
  • 批准号:
    2404874
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了