Verkapselte CMOS-kompatible mikromechanische Hochfrequenz-Resonatoren in SOI

采用 SOI 封装的 CMOS 兼容高频微机械谐振器

• 批准号: 22974878
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Jörg Müller
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Mikrosystemtechnik E-7
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/22974878?language=en
• 关键词: Verkapselte; CMOS; kompatible; mikromechanische; Hochfrequenz

Ziel des Vorhabens ist der Entwurf, die Modellierung, die Realisierung und Charakterisierung von auf Substratebene hermetisch verkapselten mikromechanischen Resonatoren hoher Güte (>1000) für Frequenzen oberhalb von l GHz in monokristallinen SOI(Silicon-On-Insulator)- Substraten für vollständig integrierte frequenzselektive Nachrichtensysteme. Durch Aufbau vorzugsweise von Ringresonatorstrukturen im monokristallinen Silizium - realisiert in der oberflächennahen Monosilizium-Mikromechanik - und deren Anregung durch tiefe Spalte mit Weiten von wenigen 10nm - realisiert durch eine Spacertechnik im Zuge der Abscheidung von Opfer- und Elektrodenschichten - können so die hervorragenden mechanischen Eigenschaften des monokristallinen Siliziums wie Dauerschwingfestigkeit, Hysterese- und Driftfreiheit sowie vernachlässigbare mechanische Verluste kombiniert werden mit den Vorzügen der Siliziumöberflächenmikromechanik wie geringen Koppelverlusten und Ansteuerspannungen. Die Freilegung der Resonatoren erfolgt von der Rückseite durch Kanäle in den auf wenige 10 um gedünnten Siliziumsubstraten. Da die Oberseite keinen Freiätzprozess erfordert, ist der Herstellungsprozess nicht nur vollständig kompatibel mit der CMOS-Technologie. Durch Entfernen der Opferschichten durch enge Zugänge von der Substratrückseite - erzeugt ebenfalls in der oberflächennahen Monosilizium-Mikromechanik - können die Systeme außerdem ohne zusätzliche Montageschritte durch Verschluss der rückseitigen Ätzkanäle in einem PECVD-Prozess bei niedrigem Druck hermetisch dicht verkapselt werden.

Ziel des Vorhabens ist der Entwurf，die Modellierung，die Realisierung and Charakterisierung von auf Substratebene Hermetisch verkapselten mikromachischen Resonatoren Hoher Güte(&gt；1000)für Frenenzen oberhalb von L GHz in Monokristallinen SOI(绝缘体上的硅片)-衬底für vollständig集成频率选择的纳氏系统。从10 nm到10 nm--现实值为10 nm。在10微米的硅胶衬底上，我们的工作与工作是一致的。从技术上来说，这是一种新的技术。在这一过程中，我们不能将所有的材料都放在最好的材料中。