Wellenleiterstrukturen und -Komponenten für mehrlagige integriert-optische SOI-Systeme

用于多层集成光学 SOI 系统的波导结构和组件

• 批准号: 28893499
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Jörg Müller
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Mikrosystemtechnik E-7
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/28893499?language=en
• 关键词: Wellenleiterstrukturen; und; Komponenten; mehrlagige; integriert

Ziel des Vorhabens ist die Herstellung von SOI-Strukturen für die optische Nachrichtentechnik mit gegenüber der Standard-Technologie verringerten Kosten und Anforderungen an die Photolithographie sowie erhöhter Vielseitigkeit hinsichtlich einer Kombination mit anderen Wellenleitermaterialien, -strukturen und Substratmaterialien. Dazu wird amorphes bzw. polykristallines Silizium auf oxidiertem Silizium in LPCVD- bzw. PECVD-Verfahren aus Silan bzw. Trichlorsilan abgeschie-den und durch ganzflächiges oder lokales thermisches Nachbehandeln vorzugsweise mit RTP-Verfahren (Halogenlampen, Laser) bezüglich optischer Verluste, Brechungs-index sowie der Minoritätsträger-Lebensdauer für optische Komponenten und Sys-teme optimiert. Ziel ist es zunächst, der im einkristallinen Silizium erreichbaren Wel-lenleiterdämpfung um 0.1 dB/cm im Spektralbereich der optischen Nachrichtentech-nik möglichst nahe zu kommen. Weiterhin soll durch untersucht werden, inwieweit die für Ramanlaser geforderten Materialeigenschaften, insbesondere die extrem niedrige Minoritätsträgerlebensdauer ggf. auch lokal durch Tempern mit einem Laser (optisch, thermisch) eingestellt werden kann, ohne gleichzeitig die optischen Verluste des Ma-terials signifikant zu erhöhen. Weiterhin soll untersucht werden, wie sich durch Ab-scheidung über Kanten am SiO2 in einem der Spacertechnik verwandten Verfahren einfache Wellenleiterstrukturen, aber auch komplexere Wellenleiterstrukturen von wenigen 10 bis 100 nm erzeugen lassen. Darüber hinaus sollen Verfahren unter-sucht werden, die eine mehrlagige Wellenleitertechnik ermöglicht insbesondere mit dem Ziel, die wegen des hohen Brechungsindexes kritische Realisierung von Richt-kopplern zu vereinfachen. Dazu sind geeignete planarisierende Prozesse zu entwi-ckeln, die nicht auf Polierprozessen beruhen. Mit den so erzeugten Wellenleitern sind dann unterschiedliche, schon in Standard-SOI-Technik erzeugte Strukturen aufzu-bauen und die resultierenden Charakteristika zu vergleichen.

Ziel des Vorhabens ist die Herstellung von SOI-Strukturen für die nachrichtentechnik mit gegenüber der Standard-Technologie verringerten Kosten und Anforderungen an die Photolithographie sowie erhöhter Vielseitigkeit hinsichtlich einer Kombination mit anderen Wellenleitermaterialien, -结构和底层材料。大足线无定形 bzw。 LPCVD-bzw 中的多晶硅 auf 氧化硅。 PECVD-Verfahren aus Silan bzw。三氯硅烷吸收和局部热敏 Nachbehandeln vorzugsweise mit RTP-Verfahren（卤素灯、激光）bezüglich optischer Verluste、Brechungs-index sowie der Minoritätsträger-Lebensdauer für optische 组件和系统优化。 Ziel ist es zunächst, der im einkristallinen Silizium erreichbaren Wel-lenleiterdämpfung um 0.1 dB/cm im Spektralbereich der optischen Nachrichtentech-nik möglichst nahe zu kommen. Weiterhin soll durch untersucht werden，inwieweit die für Ramanlaser geforderten Materialeigenschaften，insbesondere die extrem niedrige Minoritätsträgerlebensdauer ggf。激光（光学、热敏）在温度变化过程中的作用，是指材料的光学性质。 Weiterhin soll untersucht werden, wie sich durch Ab-scheidung über Kanten am SiO2 in einem der Spacertechnik verwandten Verfahren einfache Wellenleiterstrukturen, aber auch komplexere Wellenleiterstrukturen wenigen 10 bis 100 nm erzeugen lassen.解决这一问题的关键技术，是一种将技术与技术相结合的技术，是一种理想的技术指标。 Dazu sind geeignete planarisierende Prozesse zu entwi-ckeln, die nicht auf Polierprozessen beruhen。 Mit den so erzeugten Wellenleitern sind dann unterschiedliche, schon in Standard-SOI-Technik erzeugte Strukturen aufzu-bauen und die resultierenden Charakteristika zu vergleichen.