权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW/Bulk-FinFETs and 6T-SRAM

无自热效应 p/n 堆叠 NW/Bulk-FinFET 和 6T-SRAM

基本信息

批准号：
18K04258
负责人：
Hitoshi Wakabayashi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04258/
关键词：
Nano-wire FinFET 自己発熱効果 Nanowire p/n vertical integration Self-heating effect Multi-input NOR P/n vertical integration 半導体 MISFET ナノワイヤ

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（13）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Current Progress on 2D Materials and their FETs for Future LSIs

用于未来 LSI 的 2D 材料及其 FET 的最新进展

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
山岸朋彦;堀敦;宗田伊理也;角嶋邦之;筒井一生;若林整;五十里洋行;Hitoshi Wakabayashi
通讯作者：
Hitoshi Wakabayashi

総論：Si ULSIの現状と今後の動向、招待講演

综合讨论：Si ULSI现状及未来趋势，特邀报告

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
山岸朋彦;堀敦;宗田伊理也;角嶋邦之;筒井一生;若林整;五十里洋行;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;若林整
通讯作者：
若林整

Advanced Device Technologies beyond FinFET era for Logic Chip

逻辑芯片超越 FinFET 时代的先进器件技术

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
山岸朋彦;堀敦;宗田伊理也;角嶋邦之;筒井一生;若林整;五十里洋行;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi
通讯作者：
Hitoshi Wakabayashi

Advanced 3D-CMOS-Device Benchmark and Sputtered-MoS2 2D-FET Operation

先进的 3D-CMOS 器件基准和溅射 MoS2 2D-FET 操作

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
山岸朋彦;堀敦;宗田伊理也;角嶋邦之;筒井一生;若林整;五十里洋行;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;若林整;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi
通讯作者：
Hitoshi Wakabayashi

Vertically-Stacked Nanowire/FinFETs and Following 2D FETs for Logic Chips

DOI：
10.1109/s3s.2018.8640148
发表时间：
2018-10
期刊：
2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
影响因子：
0
作者：
H. Wakabayashi
通讯作者：
H. Wakabayashi

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Hitoshi Wakabayashi其他文献

Innovation of mild cold built environment for activating brown adipose tissue

激活棕色脂肪组织的温和冷建筑环境的创新

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tasuku Ebara;Kentaro Matsumoto;Yusuke Kobori;Hitoshi Wakabayashi;Mami Matsushita;Toshimitsu Kameya;Takafumi Maeda;Masayuki Saito
通讯作者：
Masayuki Saito

Evaluation of Interfacial Charges at GaN/AlGaN Interfaces Grown by MOVPE using Triethylgallium

使用三乙基镓通过 MOVPE 生长的 GaN/AlGaN 界面处的界面电荷评估

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takuya Hoshii;Hiromasa Okita;Taihei Matsuhashi;Indraneel Sanyal;Yu-Chih Chen;Ying-Hao Ju;Akira Nakajima;Kuniyuki Kakushima;Hitoshi Wakabayashi;Jen-Inn Chyi;and Kazuo Tsutsui
通讯作者：
and Kazuo Tsutsui

受傷アスリートの胸の内（シンポジウム：みんなで考えるオーバーユース障害の予防と治療）

受伤运动员的内心深处（座谈会：大家都在思考过度使用损伤的预防和治疗）

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shinsuke Nirengi;Hirokazu Taniguchi;Kengo Ishihara;Diego Hernandez-Saavedra;Masayuki Domichi;Kazuhiko Kotani;Valerie Bussberg;Michael Kiebish;Hitoshi Wakabayashi;Mami Matsushita;Masayuki Saito;Naoki Sakane;Kristin Stanford;荒井弘和
通讯作者：
荒井弘和

Centimeter-scale High-performance Few-layer MoS2 Fabricated by RF Magnetron Sputtering and Subsequent Post-deposition Annealing

通过射频磁控溅射和随后的沉积后退火制备厘米级高性能少层 MoS2

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Seiya Ishihara;Yusuke Hibino;Naomi Sawamoto;Takumi Ohashi;Kentarou Matsuura;Hitoshi Wakabayashi;and Atsushi Ogura
通讯作者：
and Atsushi Ogura