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Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW/Bulk-FinFETs and 6T-SRAM

Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW/Bulk-FinFETs and 6T-SRAM
无自热效应 p/n 堆叠 NW/Bulk-FinFET 和 6T-SRAM
批准号：
18K04258
负责人：
Hitoshi Wakabayashi
金额：
$2.83万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04258/
关键词：
Nano-wireFinFET自己発熱効果Nanowirep/n vertical integrationSelf-heating effectMulti-input NORP/n vertical integration半導体MISFETナノワイヤ

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Current Progress on 2D Materials and their FETs for Future LSIs
用于未来 LSI 的 2D 材料及其 FET 的最新进展
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [山岸 朋彦, 堀 敦, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整, 五十里洋行, Hitoshi Wakabayashi]
通讯作者： Hitoshi Wakabayashi
総論：Si ULSIの現状と今後の動向、招待講演
综合讨论：Si ULSI现状及未来趋势，特邀报告
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [山岸 朋彦, 堀 敦, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整, 五十里洋行, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, 若林整]
通讯作者： 若林整
Advanced Device Technologies beyond FinFET era for Logic Chip
逻辑芯片超越 FinFET 时代的先进器件技术
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [山岸 朋彦, 堀 敦, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整, 五十里洋行, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi]
通讯作者： Hitoshi Wakabayashi
Advanced 3D-CMOS-Device Benchmark and Sputtered-MoS2 2D-FET Operation
先进的 3D-CMOS 器件基准和溅射 MoS2 2D-FET 操作
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [山岸 朋彦, 堀 敦, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整, 五十里洋行, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi, 若林整, Hitoshi Wakabayashi, Hitoshi Wakabayashi]
通讯作者： Hitoshi Wakabayashi
共 12 条
    国内基金
    海外基金
    亚20nm FinFET工艺下SRAM单粒子翻转机制及抗辐照加固关键技术研究
    背部供电FinFET中后道寄生提取建模、测试结构开发及寄生导向协同优化
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      沈阳
    • 依托单位：
      华东师范大学
    面向毫米波和太赫兹芯片的FinFET器件和射频电路协同优化研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      YE LU
    • 依托单位：
      复旦大学
    面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
    • 批准号：
      62374174
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      48.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      卜建辉
    • 依托单位：
      中国科学院微电子研究所