高品質GaAsN系超格子の成長と励起子に関する研究
高质量GaAsN超晶格的生长和激子研究
基本信息
- 批准号:19K05295
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
RF-MBE法で成長した不純物をドーピングしたGaAsNを評価することにより、以下に示す3点の研究成果を得た。(1) 昨年度に提案したフォトルミネッセンス(PL)特性を用いた電子の有効質量を評価する方法を用いて、GaAsN中の電子の有効質量の窒素組成依存性を測定した。GaAsに比べて、GaAsNにおける電子の有効質量が大きいので、GaAsN中の励起子の束縛エネルギーが高くなる。したがって、励起子吸収を利用することにより、効率の高い太陽電池が期待できる。今後は、GaAsN中の励起子と光伝導特性の関連性を評価する予定である。(2) 時間分解PL測定を行うことにより、Be不純物濃度を変化させたGaAsN中のキャリアの寿命を測定した。光励起を停止した後にはPL発光強度が減衰する。この減衰過程には、2つの時定数が存在した。長い時定数の値は、Be濃度や測定温度に依存せずに一定であったので、GaAsN中の局在準位に関連する発光であるものと考えられる。また、時間分解PLでは、S-shape特性が観測されなかったので、局在準位の濃度は限られているものと考えられる。以上のことから、Beを高濃度にドーピングしたGaAsNでは、バンド間遷移のキャリアの寿命が短くなったために、S-shape特性が消失したものと考えられる。(3) 不純物をドーピングしたGaAsNに対するX線逆格子マッピングを測定した。その結果、不純物をドーピングすることにより、GaAsNのc軸方向の揺らぎが減少することを明らかにした。その理由として、不純物と窒素原子が結合することにより、格子間に存在する窒素原子が減少したことが考えられる。
通过评估RF-MBE方法增长的杂质的Gaasn,我们获得了以下三个研究结果。 (1)使用去年提出的方法测量了GAASN中电子的有效质量的氮组成依赖性,以评估使用光致发光(PL)特性的电子质量。与GAAS相比,GAASN中电子的有效质量更大,这增加了GAASN中激子的结合能量。因此,通过利用激子吸收,可以预期高效的太阳能电池。将来,我们计划评估GAASN中激子与光电传统特性之间的关系。 (2)通过执行时间分辨PL测量值测量具有不同的杂质浓度的GAASN载体的寿命。停止光激发后,PL发射强度降低。在这个阻尼过程中有两个时间常数。长时间的恒定值是恒定的,独立于浓度或测量温度,被认为是与GAASN中局部水平相关的发射。此外,由于在时间分辨的PL中未观察到S形特征,因此认为局部水平的浓度受到限制。从上面可以看出,在高度浓缩的Gaasn中,由于带间跨过渡的载体寿命缩短,S形特性消失了。 (3)测量了用于杂质的GAASN的X射线往复式晶格映射。结果,据揭示了通过与杂质掺杂的C轴方向上GAASN的波动。这样做的原因是,杂质和氮原子的结合减少了晶格之间存在的氮原子的数量。
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
高濃度BeドープGaAsNのフォトルミネッセンス特性
重Be掺杂GaAsN的光致发光特性
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤本 卓雅;塚崎 貴司;椎野 直樹;藤田 実樹;牧本 俊樹
- 通讯作者:牧本 俊樹
RF-MBE法で成長したGaAsNにおけるEgのN組成依存性
通过 RF-MBE 方法生长的 GaAsN 中 Eg 对 N 成分的依赖性
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤森 郁男;塚崎 貴司;藤田 実樹;牧本 俊樹
- 通讯作者:牧本 俊樹
フォトルミネッセンス特性を用いたSiドープGaAsNにおける有効質量の評価
利用光致发光特性评估硅掺杂 GaAsN 的有效质量
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:南奈津;塚崎貴司;藤田実樹;牧本俊樹
- 通讯作者:牧本俊樹
X線逆格子マッピングによる不純物ドープGaAsNの評価
通过 X 射线倒数映射评估掺杂 GaAsN
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:井上洸;角田拓優;塚崎貴司;藤田実樹;牧本俊樹
- 通讯作者:牧本俊樹
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
- DOI:10.1016/j.physb.2021.413482
- 发表时间:2022-01
- 期刊:
- 影响因子:2.8
- 作者:Takashi Tsukasaki;Naoki Mochida;M. Fujita;T. Makimoto
- 通讯作者:Takashi Tsukasaki;Naoki Mochida;M. Fujita;T. Makimoto
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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Y. Watanabe
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- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山崎 隆弘;畑 泰希;山根 悠介;関根 佳明;前田 文彦;日比野 浩樹;藤田 実樹;牧本 俊樹;Y. Watanabe;Y. Watanabe;Y. Watanabe - 通讯作者:
Y. Watanabe
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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