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Searching new operation area for QCL by Gain Mapping using NEGF

Searching new operation area for QCL by Gain Mapping using NEGF
使用 NEGF 通过增益映射搜索 QCL 的新操作区域
批准号：
18K04251
负责人：
Yun Joosun
金额：
$2.83万
依托单位：
Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04251/
关键词：
QCLAlGaNNEGFAlloy disorderRadom fieldDipole scatteringSelf-energyRandom electric fieldInterface roughnessRoughness-induced chargeLevel broadeningGaNGaAsAlGaAs

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Design and analysis of DUV-LEDs and QCLs by utilizing HOKUSAI
利用 HOKUSAI 设计和分析 DUV-LED 和 QCL
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Wang Ke, Grange Thomas, Lin Tsung-Tse, Wang Li, Jehn Zoltan, Birner Stefan, Yun Joosun, Terashima Wataru, Hirayama Hideki, Joosun Yun and Hideki Hirayama, Joosun Yun and Hideki Hirayama, Joosun Yun and Hideki Hirayama, Joosun Yun and Hideki Hirayama]
通讯作者： Joosun Yun and Hideki Hirayama
Random electric field induced by interface roughness in GaN/AlGaN multiple quantum wells
GaN/AlGaN 多量子阱中界面粗糙度引起的随机电场
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发表时间： 2019
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通讯作者： and Hideki Hirayama
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发表时间： 2021
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通讯作者： and Hideki Hirayama
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发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Katsuhiro Kishimoto, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, J. Yun and H. Hirayama]
通讯作者： J. Yun and H. Hirayama
共 8 条
    国内基金
    海外基金
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
    N极性AlGaN基深紫外全固态光源的极化 调控及光效提升
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    • 批准号：
      2025JJ50043
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      王慧敏
    • 依托单位：
      湘潭大学
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