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CMOS FinFET technologies toward low-cost terahertz generation for safe and secure society

CMOS FinFET technologies toward low-cost terahertz generation for safe and secure society
CMOS FinFET 技术致力于低成本太赫兹发电，打造安全可靠的社会
批准号：
26289113
负责人：
Matsukawa Takashi
金额：
$10.57万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289113/
关键词：
テラヘルツ波FinFET先端機能デバイス半導体超微細化

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Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation
FinFET中延伸离子注入引起的残余缺陷对寄生电阻及其波动的影响
DOI： 10.1016/j.sse.2017.03.014
发表时间： 2017
期刊： Solid-State Electronics
影响因子： 1.7
作者： [T. Matsukawa, Y. Liu, T. Mori, Y. Morita, S. Otsuka, S. O’uchi, H. Fuketa, S. Migita, and M. Masahara]
通讯作者： and M. Masahara
金属ゲートの仕事関数ばらつきによるFinFETのDIBLばらつきの解析
由于金属栅极功函数变化导致的 FinFET DIBL 变化分析
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [松川 貴, 福田浩一, 柳 永勛, 遠藤和彦, 塚田順一, 山内洋美, 石川由紀, 大内真一, 右田真司, 水林 亘, 森田行則, 太田裕之, 昌原明植]
通讯作者： 昌原明植
Impact of granular work function variation in a gate electrodeon low-frequency noise for fin field-effect transistors
栅极电极中粒状功函数变化对鳍式场效应晶体管低频噪声的影响
DOI： 10.7567/apex.8.044201
发表时间： 2015
期刊： Applied Physics Express
影响因子： 2.3
作者： [T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, K. Endo, Y. Ishikawa, S. O’uchi, S. Migita, Y. Morita, W. Mizubayashi, H. Ota, and M. Masahara]
通讯作者： and M. Masahara
CMOS FinFETによる低コストテラヘルツ波発生器の検討
使用 CMOS FinFET 的低成本太赫兹波发生器的考虑
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [松川 貴, 柳原昌志, 柳 永勛, 大野守史, 田所宏文, 昌原明植]
通讯作者： 昌原明植
共 11 条
    The search for modifying genetic factors for phenotypes of adrenoleukodystrophy and application to personalized medicine
    • 批准号：
      19K17001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Matsukawa Takashi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Study about modifying factors for phenotypes of adrenoleukodystrophy based on the pathophysiology
    • 批准号：
      17K16112
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Matsukawa Takashi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Search for modifier factors of adrenoleukodystrophy phenotypes using whole exome sequencing
    • 批准号：
      15H06160
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.91万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Matsukawa Takashi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    国内基金
    海外基金
    亚20nm FinFET工艺下SRAM单粒子翻转机制及抗辐照加固关键技术研究
    背部供电FinFET中后道寄生提取建模、测试结构开发及寄生导向协同优化
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      沈阳
    • 依托单位：
      华东师范大学
    面向毫米波和太赫兹芯片的FinFET器件和射频电路协同优化研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      YE LU
    • 依托单位：
      复旦大学
    面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
    • 批准号：
      62374174
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      48.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      卜建辉
    • 依托单位：
      中国科学院微电子研究所