CMOS FinFET technologies toward low-cost terahertz generation for safe and secure society

CMOS FinFET 技术致力于低成本太赫兹发电,打造安全可靠的社会

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation
FinFET中延伸离子注入引起的残余缺陷对寄生电阻及其波动的影响
  • DOI:
    10.1016/j.sse.2017.03.014
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    T. Matsukawa;Y. Liu;T. Mori;Y. Morita;S. Otsuka;S. O’uchi;H. Fuketa;S. Migita;and M. Masahara
  • 通讯作者:
    and M. Masahara
金属ゲートの仕事関数ばらつきによるFinFETのDIBLばらつきの解析
由于金属栅极功函数变化导致的 FinFET DIBL 变化分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松川 貴;福田浩一;柳 永勛;遠藤和彦;塚田順一;山内洋美;石川由紀;大内真一;右田真司;水林 亘;森田行則;太田裕之;昌原明植
  • 通讯作者:
    昌原明植
Impact of granular work function variation in a gate electrodeon low-frequency noise for fin field-effect transistors
栅极电极中粒状功函数变化对鳍式场效应晶体管低频噪声的影响
  • DOI:
    10.7567/apex.8.044201
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    T. Matsukawa;K. Fukuda;Y.X. Liu;J. Tsukada;H. Yamauchi;K. Endo;Y. Ishikawa;S. O’uchi;S. Migita;Y. Morita;W. Mizubayashi;H. Ota;and M. Masahara
  • 通讯作者:
    and M. Masahara
CMOS FinFETによる低コストテラヘルツ波発生器の検討
使用 CMOS FinFET 的低成本太赫兹波发生器的考虑
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松川 貴;柳原昌志;柳 永勛;大野守史;田所宏文;昌原明植
  • 通讯作者:
    昌原明植
先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策
高级 CMOS 晶体管的闪烁噪声对策
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松川 貴;柳 永勛;福田浩一;大内真一;昌原明植
  • 通讯作者:
    昌原明植
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Matsukawa Takashi其他文献

当科における家族性アミロイドポリニューロパチー (TTR I107V変異) の予後の検討
我科家族性淀粉样多发性神经病(TTR I107V突变)预后检查
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naruse Hiroya;Matsukawa Takashi;Ishiura Hiroyuki;Mitsui Jun;Takahashi Yuji;Takano Hiroki;Goto Jun;Toda Tatsushi;Tsuji Shoji;光武明彦,成瀬紘也,河合三津保,角元利行,松川敬志,代田悠一郎,作石かおり,石浦浩之,辻省次,戸田達史;大久保颯,荒川晶,成瀬紘也,三井純,石浦浩之,作石かおり,岩田淳,佐竹渉,辻省次,戸田達史
  • 通讯作者:
    大久保颯,荒川晶,成瀬紘也,三井純,石浦浩之,作石かおり,岩田淳,佐竹渉,辻省次,戸田達史
Process and device integration for silicon tunnel FETs utilizing isoelectronic trap technology to enhance the ON current
利用等电子陷阱技术增强导通电流的硅隧道 FET 的工艺和器件集成
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.04fa04
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Mori Takahiro;Asai Hidehiro;Fukuda Koichi;Matsukawa Takashi
  • 通讯作者:
    Matsukawa Takashi
Oxygen consumption rate for evaluation of COQ2 variants associated with multiple system atrophy
用于评估与多系统萎缩相关的 COQ2 变体的耗氧率
  • DOI:
    10.1007/s10048-018-0563-7
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.2
  • 作者:
    Yasuda Tsutomu;Matsukawa Takashi;Mitsui Jun;Tsuji Shoji
  • 通讯作者:
    Tsuji Shoji
A Review of Studies Related to the History of Yogo Teachers
瑜伽教师史相关研究述评
  • DOI:
    10.15083/0002003519
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mitsutake Akihiko;Matsukawa Takashi;Porto Kristine Joyce L.;Sato Tatsuya;Katsumata Junko;Seki Tomonari;Maekawa Risa;Hideyama Takuto;Tanaka Masaki;Ishiura Hiroyuki;Toda Tatsushi;Tsuji Shoji;Shiio Yasushi;有間 梨絵
  • 通讯作者:
    有間 梨絵
重さ半整数の次数2のベクトル値ジーゲル保型形式に関する伊吹山予想の証明
具有半整数权重的 2 次向量值 Siegel 模形式的 Ibukiyama 猜想的证明
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mitsutake Akihiko;Matsukawa Takashi;Porto Kristine Joyce L.;Sato Tatsuya;Katsumata Junko;Seki Tomonari;Maekawa Risa;Hideyama Takuto;Tanaka Masaki;Ishiura Hiroyuki;Toda Tatsushi;Tsuji Shoji;Shiio Yasushi;有間 梨絵;石本宙
  • 通讯作者:
    石本宙

Matsukawa Takashi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Matsukawa Takashi', 18)}}的其他基金

The search for modifying genetic factors for phenotypes of adrenoleukodystrophy and application to personalized medicine
寻找改变肾上腺脑白质营养不良表型的遗传因素及其在个性化医疗中的应用
  • 批准号:
    19K17001
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Study about modifying factors for phenotypes of adrenoleukodystrophy based on the pathophysiology
基于病理生理学的肾上腺脑白质营养不良表型修饰因素研究
  • 批准号:
    17K16112
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Search for modifier factors of adrenoleukodystrophy phenotypes using whole exome sequencing
使用全外显子组测序寻找肾上腺脑白质营养不良表型的修饰因子
  • 批准号:
    15H06160
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

相似国自然基金

面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
  • 批准号:
    62374174
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    48.00 万元
  • 项目类别:
    面上项目
12纳米FinFET工艺64Gbps高速CDR电路抗单粒子辐射加固技术研究
  • 批准号:
    62304260
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30.00 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
FinFET器件辐射效应Fin结构相关性及可靠性研究
  • 批准号:
    62374124
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    55 万元
  • 项目类别:
    面上项目
FinFET总剂量与热载流子效应引入缺陷的协和作用机制研究
  • 批准号:
    12275352
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    56 万元
  • 项目类别:
    面上项目
纳米FinFET器件总剂量及单粒子辐射效应机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
FinFET晶体管低温总剂量耦合效应及机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    55 万元
  • 项目类别:
    面上项目
14nm以下FinFET工艺数模混合集成电路单粒子瞬态效应产生机理及试验表征技术研究
  • 批准号:
    62174180
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    54 万元
  • 项目类别:
    面上项目
FinFET体硅工艺低抖动超高频锁相环抗单粒子辐照加固研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
面向航空应用的纳米FinFET器件大气中子单粒子效应机理及评价方法研究
  • 批准号:
    12175045
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    64 万元
  • 项目类别:
    面上项目
先进纳米FinFET器件超高能重离子单粒子效应研究
  • 批准号:
    12105341
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Development of radiation tolerant cell libraries and a RISC-V microcontroller with GF 12nm FinFET technology
采用 GF 12nm FinFET 技术开发耐辐射单元库和 RISC-V 微控制器
  • 批准号:
    577110-2022
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Alliance Grants
Monolithic Quantum Processors in Production FDSOI and FinFET CMOS Technologies
生产中的单片量子处理器 FDSOI 和 FinFET CMOS 技术
  • 批准号:
    RTI-2023-00256
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Research Tools and Instruments
CAREER: Nitride FinFET on Silicon for Medium-Voltage Monolithically Integrated Power Electronics
事业:用于中压单片集成电力电子器件的硅基氮化物 FinFET
  • 批准号:
    2045001
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
SBIR Phase I: The Quantum FinFET Innovation to Extend Moore's Law: in silico proof-of-concept and performance validation
SBIR 第一阶段:扩展摩尔定律的量子 FinFET 创新:计算机概念验证和性能验证
  • 批准号:
    1519515
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FinFET Transistors for Radio-Frequency Electronics
用于射频电子产品的 FinFET 晶体管
  • 批准号:
    480039-2015
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    University Undergraduate Student Research Awards
Development of a High-Accuracy Embedded Temperature Sensor Circuit Targeting 16 nano-meter finFET CMOS Semiconductor Technologies
针对 16 纳米 finFET CMOS 半导体技术开发高精度嵌入式温度传感器电路
  • 批准号:
    720545
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    GRD Development of Prototype
SHF: Small: A Cross-Layer Modeling and Optimization Framework Targeting FinFET-based Designs Operating in Multiple Voltage Regimes
SHF:小型:跨层建模和优化框架,针对在多个电压范围内运行的基于 FinFET 的设计
  • 批准号:
    1423680
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Automatic Circuit Design and Architecture Evaluation of Finfet-Based FPGAs
基于 Finfet 的 FPGA 的自动电路设计和架构评估
  • 批准号:
    466348-2014
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    University Undergraduate Student Research Awards
SHF: Small: Parasitics-aware Exploration of the FinFET SRAM Design Space
SHF:小型:FinFET SRAM 设计空间的寄生感知探索
  • 批准号:
    1318603
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: Bio-finFET Based Portable Electronic Sensor to Quantify Contaminant Levels in Food and Dairy Products
SBIR 第一阶段:基于 Bio-finFET 的便携式电子传感器,用于量化食品和乳制品中的污染物水平
  • 批准号:
    1215460
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 10.57万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了