量子暗号通信の長距離化・高速化を実現する単一光子検出用集積素子の開発

开发实现远距离、高速量子密码通信的单光子探测集成装置

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

稲葉 工其他文献

稲葉 工的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

{{ truncateString('稲葉 工', 18)}}的其他基金

カーボンナノチューブ熱電変換素子の性能向上に向けた同位体効果の実証
演示同位素效应提高碳纳米管热电转换元件的性能
  • 批准号：
    19K14915
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

相似国自然基金

面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
  • 批准号：
    62374174
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    48.00 万元
  • 项目类别：
    面上项目
12纳米FinFET工艺64Gbps高速CDR电路抗单粒子辐射加固技术研究
  • 批准号：
    62304260
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    30.00 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
FinFET器件辐射效应Fin结构相关性及可靠性研究
  • 批准号：
    62374124
  • 批准年份：
    2023
  • 资助金额：
    55 万元
  • 项目类别：
    面上项目
FinFET总剂量与热载流子效应引入缺陷的协和作用机制研究
  • 批准号：
    12275352
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    56 万元
  • 项目类别：
    面上项目
纳米FinFET器件总剂量及单粒子辐射效应机理研究
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
FinFET晶体管低温总剂量耦合效应及机理研究
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    55 万元
  • 项目类别：
    面上项目
14nm以下FinFET工艺数模混合集成电路单粒子瞬态效应产生机理及试验表征技术研究
  • 批准号：
    62174180
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    54 万元
  • 项目类别：
    面上项目
FinFET体硅工艺低抖动超高频锁相环抗单粒子辐照加固研究
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
面向航空应用的纳米FinFET器件大气中子单粒子效应机理及评价方法研究
  • 批准号：
    12175045
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    64 万元
  • 项目类别：
    面上项目
先进纳米FinFET器件超高能重离子单粒子效应研究
  • 批准号：
    12105341
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    30 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目

相似海外基金

Development of radiation tolerant cell libraries and a RISC-V microcontroller with GF 12nm FinFET technology
采用 GF 12nm FinFET 技术开发耐辐射单元库和 RISC-V 微控制器
  • 批准号：
    577110-2022
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Alliance Grants
Monolithic Quantum Processors in Production FDSOI and FinFET CMOS Technologies
生产中的单片量子处理器 FDSOI 和 FinFET CMOS 技术
  • 批准号：
    RTI-2023-00256
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Research Tools and Instruments
CAREER: Nitride FinFET on Silicon for Medium-Voltage Monolithically Integrated Power Electronics
事业：用于中压单片集成电力电子器件的硅基氮化物 FinFET
  • 批准号：
    2045001
  • 财政年份：
    2021
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Continuing Grant
SBIR Phase I: The Quantum FinFET Innovation to Extend Moore's Law: in silico proof-of-concept and performance validation
SBIR 第一阶段：扩展摩尔定律的量子 FinFET 创新：计算机概念验证和性能验证
  • 批准号：
    1519515
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Standard Grant
FinFET Transistors for Radio-Frequency Electronics
用于射频电子产品的 FinFET 晶体管
  • 批准号：
    480039-2015
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    University Undergraduate Student Research Awards
Development of a High-Accuracy Embedded Temperature Sensor Circuit Targeting 16 nano-meter finFET CMOS Semiconductor Technologies
针对 16 纳米 finFET CMOS 半导体技术开发高精度嵌入式温度传感器电路
  • 批准号：
    720545
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    GRD Development of Prototype
SHF: Small: A Cross-Layer Modeling and Optimization Framework Targeting FinFET-based Designs Operating in Multiple Voltage Regimes
SHF：小型：跨层建模和优化框架，针对在多个电压范围内运行的基于 FinFET 的设计
  • 批准号：
    1423680
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Standard Grant
CMOS FinFET technologies toward low-cost terahertz generation for safe and secure society
CMOS FinFET 技术致力于低成本太赫兹发电，打造安全可靠的社会
  • 批准号：
    26289113
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Automatic Circuit Design and Architecture Evaluation of Finfet-Based FPGAs
基于 Finfet 的 FPGA 的自动电路设计和架构评估
  • 批准号：
    466348-2014
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    University Undergraduate Student Research Awards
SHF: Small: Parasitics-aware Exploration of the FinFET SRAM Design Space
SHF：小型：FinFET SRAM 设计空间的寄生感知探索
  • 批准号：
    1318603
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了