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AlGaN/Diamond DUV Light Sources Fabricated by Direct Wafer Bonding

通过直接晶圆键合制造的 AlGaN/金刚石 DUV 光源

基本信息

批准号：
17H06762
负责人：
Hayashi Yusuke
金额：
$ 1.91万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-08-25 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H06762/
关键词：
ダイヤモンド AlGaN AlN 深紫外ウェハ接合表面活性化接合

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（45）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models

晶圆键合制备AlN的极性反转及其原子排列模型

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Hayashi;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Akiyama;T. Ito;R. Katayama
通讯作者：
R. Katayama

AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発

AlN/GaN/LiNbO3表面活化晶圆键合技术的开发

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
小野寺卓也;上向井正裕;髙橋一矢;岩谷素顕;赤﨑勇;林侑介;三宅秀人;片山竜二
通讯作者：
片山竜二

MOVPE法によるAlN膜のface-to-faceアニール

MOVPE 法对 AlN 薄膜进行面对面退火

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
田中襲一;岡田俊祐;林侑介;三宅秀人;平松和政
通讯作者：
平松和政

表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製

通过表面激活键合和硅衬底剥离制备GaN极性反转结构

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shunsuke Goto;Keita Nomura;Masanori Yamamoto;Hiromoto Nishihara;Masashi Ito;Masanobu Uchimura;Takashi Kyotani;小野寺卓也，上向井正裕，髙橋一矢，岩谷素顕，赤﨑勇，林侑介，三宅秀人，久志本真希，鄭惠貞，本田善央，天野浩，片山竜二
通讯作者：
小野寺卓也，上向井正裕，髙橋一矢，岩谷素顕，赤﨑勇，林侑介，三宅秀人，久志本真希，鄭惠貞，本田善央，天野浩，片山竜二

Bowing Control of Sputtered AlN Caused by High Temperature Annealing

高温退火引起溅射AlN弯曲的控制

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Hayashi;K. Tanigawa;K. Shojiki;and H. Miyake
通讯作者：
and H. Miyake

DOI：
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作者：
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DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
高橋覚;青木茂樹;et al.;Hayashi Yusuke;二宮咲子・鬼頭秀一
通讯作者：
二宮咲子・鬼頭秀一

Fluidization of the Labor Market and Disparity in Postwar Japan

战后日本劳动力市场的流动化和不平等

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hayashi Yusuke;Yoshimichi Sato
通讯作者：
Yoshimichi Sato

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发表时间：
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影响因子：
0
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通讯作者：
Hayashi Yusuke

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原子分辨率的三维动态 STEM 成像

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
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0
作者：
Scholz Benedikt X.;Hayashi Yusuke;Udugama Isuru A.;Kino-oka Masahiro;Sugiyama Hirokazu;Ishikawa Ryo Shibata Naoya Ikuhara Yuichi
通讯作者：
Ishikawa Ryo Shibata Naoya Ikuhara Yuichi