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AlGaN/Diamond DUV Light Sources Fabricated by Direct Wafer Bonding

AlGaN/Diamond DUV Light Sources Fabricated by Direct Wafer Bonding
通过直接晶圆键合制造的 AlGaN/金刚石 DUV 光源
批准号:
17H06762
负责人:
Hayashi Yusuke
金额:
$1.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-08-25 至 2019-03-31

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Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models
晶圆键合制备AlN的极性反转及其原子排列模型
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [Y. Hayashi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito, R. Katayama]
通讯作者: R. Katayama
AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発
AlN/GaN/LiNbO3表面活化晶圆键合技术的开发
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [小野寺卓也, 上向井正裕, 髙橋一矢, 岩谷素顕, 赤﨑勇, 林侑介, 三宅秀人, 片山竜二]
通讯作者: 片山竜二
MOVPE法によるAlN膜のface-to-faceアニール
MOVPE 法对 AlN 薄膜进行面对面退火
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 平松和政
表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製
通过表面激活键合和硅衬底剥离制备GaN极性反转结构
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [Shunsuke Goto, Keita Nomura, Masanori Yamamoto, Hiromoto Nishihara, Masashi Ito, Masanobu Uchimura, Takashi Kyotani, 小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二]
通讯作者: 小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
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    Knowledge-structure-reconstruction approach for knowledge-acquisition with knowledge-utilization-oriented videos
    • 批准号:
      19K12269
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.66万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Hayashi Yusuke
    • 依托单位:
    Development of AlN Wavelength Conversion Devices Using Vertical Polarity Inversion
    • 批准号:
      19K15045
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额:
      $2.75万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Hayashi Yusuke
    • 依托单位:
    Comprehensive research on changes and mechanisms of adolescents' sexual behaviors and attitudes and practical application for sex education
    • 批准号:
      19H01572
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $8.82万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Hayashi Yusuke
    • 依托单位:
    Sociological research on disparity structure and chain process of family life events
    • 批准号:
      16K17240
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额:
      $1.83万
    • 财政年份:
      2016
    • 负责人:
      Hayashi Yusuke
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
    N极性AlGaN基深紫外全固态光源的极化 调控及光效提升
    基于机器学习势的AlGaN合金中热输运的各向异性调控规律与机制研究
    • 批准号:
      2025JJ50043
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      王慧敏
    • 依托单位:
    AlGaN基自组织深紫外量子线阵列的辐射复合效率和出光模式协同调控