AlGaN/Diamond DUV Light Sources Fabricated by Direct Wafer Bonding
AlGaN/Diamond DUV Light Sources Fabricated by Direct Wafer Bonding
批准号:
17H06762
负责人:
Hayashi Yusuke
金额:
$1.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-08-25 至 2019-03-31
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Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models
晶圆键合制备AlN的极性反转及其原子排列模型
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Hayashi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito, R. Katayama]
通讯作者:
R. Katayama
AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発
AlN/GaN/LiNbO3表面活化晶圆键合技术的开发
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小野寺卓也, 上向井正裕, 髙橋一矢, 岩谷素顕, 赤﨑勇, 林侑介, 三宅秀人, 片山竜二]
通讯作者:
片山竜二
MOVPE法によるAlN膜のface-to-faceアニール
MOVPE 法对 AlN 薄膜进行面对面退火
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中襲一, 岡田俊祐, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政]
通讯作者:
平松和政
表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製
通过表面激活键合和硅衬底剥离制备GaN极性反转结构
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shunsuke Goto, Keita Nomura, Masanori Yamamoto, Hiromoto Nishihara, Masashi Ito, Masanobu Uchimura, Takashi Kyotani, 小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二]
通讯作者:
小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
Bowing Control of Sputtered AlN Caused by High Temperature Annealing
高温退火引起溅射AlN弯曲的控制
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Hayashi, K. Tanigawa, K. Shojiki, and H. Miyake]
通讯作者:
and H. Miyake
共 43 条
Knowledge-structure-reconstruction approach for knowledge-acquisition with knowledge-utilization-oriented videos
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批准号:19K12269
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2019
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负责人:Hayashi Yusuke
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依托单位:
Development of AlN Wavelength Conversion Devices Using Vertical Polarity Inversion
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批准号:19K15045
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2019
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负责人:Hayashi Yusuke
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依托单位:
Comprehensive research on changes and mechanisms of adolescents' sexual behaviors and attitudes and practical application for sex education
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批准号:19H01572
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.82万
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财政年份:2019
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负责人:Hayashi Yusuke
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依托单位:
Sociological research on disparity structure and chain process of family life events
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批准号:16K17240
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.83万
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财政年份:2016
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负责人:Hayashi Yusuke
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依托单位:
Learning support of designing lessons by reconfiguration of learning and instruction process
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批准号:15K01070
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2015
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负责人:Hayashi Yusuke
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依托单位:
国内基金
海外基金
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面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:何亮
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依托单位:
N极性AlGaN基深紫外全固态光源的极化
调控及光效提升
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:王巧
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依托单位:
基于机器学习势的AlGaN合金中热输运的各向异性调控规律与机制研究
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批准号:2025JJ50043
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:王慧敏
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依托单位:
AlGaN基自组织深紫外量子线阵列的辐射复合效率和出光模式协同调控
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2024
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负责人:何晨光
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依托单位:
AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:叶然
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依托单位:
AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
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批准号:2024JJ7377
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:张顺如
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依托单位:
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2024
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负责人:周琦
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依托单位:
面向无线光通信的表面微纳结构AlGaN基深紫外光电子器件研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2024
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负责人:路慧敏
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依托单位:
基于AlGaN材料的全固态日盲紫外/近红外双色探测器研究
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批准号:62374163
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项目类别:面上项目
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资助金额:48.00万元
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批准年份:2023
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负责人:缪国庆
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依托单位:
基于界面修饰路径的p型AlGaN三维超晶格能级耦合及微通道输运调控
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:张康
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依托单位: