课题基金 / 基金详情

光刺激脱離と光電子分光による光励起選択エピタキシ-の機構解明

光刺激脱離と光電子分光による光励起選択エピタキシ-の機構解明
光刺激解吸和光电子能谱光激发选择性外延机制
批准号:
02253203
负责人:
岩澤 康裕
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --

项目摘要

项目成果

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光励起を利用した半導体成長初期過程を解明するため、以下の研究を行なった.1.高圧キセノンランプ、石英レンズ、フィルタ-等からなる紫外光源を整備した.この光源では、光学素子の組合せにより200〜1000nmの範囲内の任意の波長において、50〜100nmの幅で光出力100〜1000mWの準単色光を得られるようにした.また、ICFー152真空フランジに直接搭載しうるようにしたので、複数の超高真空装置で共用することができる.これを設置する超高真空装置のひとつには、角度分解電子刺激脱離装置が設置される.光源系との接続により光刺激脱離の測定が可能となる.この装置は、本申請者らが開発した飛行時間フ-リエ変換型質量分析器を備えている.これは従来の質量分析器の10^3倍の検出効率を有し、また、パルス光源を用いず、安価な定常光源を用いて高い効率で飛行時間法による並進エネルギ-測定が行なえるものである.2.表面光化学反応容器を直結した超高真空走査トンネル顕微鏡(STM)装置を開発した.これは、比較的高圧における光励起プロセスにより成長中の表面を直ちに超高真空槽に移送してSTM観察を可能とするものである.STMは、金蒸着膜等で原子レベル分解能が得られることを確認している.今後は、光励起による金属ー半導体界面形成の典型例として、Si(001)ー(2×1)表面上へのGa(CH_3)_3の光励起堆積過程についての検討を進める予定である.
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Sasaki,T.Aruga,H.Kuroda,Y.Iwasawa: "Interaction between CO and NH_3 coadsorbed on Ru(001):Its effect on the ordering in mixed adlayers and the ammonia dissociation" Surf.Sci.(1991)
T.Sasaki,T.Aruga,H.Kuroda,Y.Iwasawa:“CO 和 NH_3 共吸附在 Ru(001) 上的相互作用:其对混合吸附层有序性和氨解离的影响”Surf.Sci.(1991)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
M.Shirai,K.Asakura,Y.Iwasawa,T.Aruga: "An apparatus for in situ totalーreflection fluorescence EXAFS with synchrotron light saurce" Rev.Sci.Instrum.
M.Shirai、K.Asakura、Y.Iwasawa、T.Aruga:“具有同步加速器光源的原位全反射荧光 EXAFS 装置”Rev.Sci.Instrum。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
前例のないナノ塩基性金属酸化物/ゼオライト触媒による新規高選択的フェノール合成
Design of Novel Confined Single Site Catalysts for Low-Temperature Selective Activation of C-H Bonds
新規高効率触媒作用創出のための完全反応制御と反応原理解明に関する分子理論的研究
表面を媒体とするモレキュラーインプリンティング不斉金属錯体触媒の創成と制御
  • 批准号:
    16033217
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $2.94万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    岩澤 康裕
  • 依托单位:
海外基金