極微細ハイブリッド多層配線の高信頼化に関する研究
極微細ハイブリッド多層配線の高信頼化に関する研究
批准号:
13025233
负责人:
新宮原 正三
金额:
$26.94万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2003
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英文摘要
多層銅配線のビアチェーン構造にて、直流及び交流パルスエレクトロマイグレーション寿命評価を行った。直流パルスEM評価においては、周波数領域10-20MHzに相当する高周波にて、パルスオンタイムを50nsec一定として、パルスオフタイムを25,50,100nsecと変えた評価を行った。その結果、パルスオフタイムを増加すると共に、配線の平均EM寿命が著しく増加することを見出した。原子空孔の一次元ドリフト拡散方程式に基づく解析により、これは電流オフ時に原子空孔の濃度勾配に起因するバックフローにより回復過程が数十ナノ秒という短い時間でも存在するためであることが明らかとなった。また、交流パルスEM評価においては、電流平均値がゼロであっても、配線不良が起こることが明らかとなった。一次元ドリフト拡散方程式に基づく解析では、配線寿命は無限大となることが予測されるので、その原因はエレクトロマイグレーションのみではないことが結論される。不良箇所の分布及び不良モードは、やはり直流パルス条件とは異なっていることが判明した。それより、交流パルス試験で不良要因は、配線内部に生じた温度勾配に起因するサーモマイグレーションがその主要な原因であることが推測された。
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新宮原 正三: "多層配線技術の最新動向 -銅配線/低誘電率膜-"EDリサーチ社. 54 (2002)
Shozo Shinmiyahara:“多层布线技术的最新趋势-铜布线/低介电常数薄膜-” ED Research Co., Ltd. 54 (2002)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Shingubara, T.Ida, H.Sawa, H.Sakaue, T.Takahagi: "Effect of Pd Catalyst Adsorption on Cu Filling Characteristics in Electroless Plating"Mat.Res.Soc Conf.Proc.. ULSI-14. 229-234 (2001)
S.Shingubara、T.Ida、H.Sawa、H.Sakaue、T.Takahagi:“化学镀中钯催化剂吸附对铜填充特性的影响”Mat.Res.Soc Conf.Proc.. ULSI-14。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Shingubara, et al.: "Bottom-up fill of Cu in deep submicron holes by electroless plating"Electrochem.Solid-State Lettters. (accepted). (2004)
S.Shingubara 等人:“通过化学镀在深亚微米孔中自下而上填充铜”Electrochem.Solid-State Letters。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Miyazaki, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi: "Investigation of interconnect temperature rise due to Joule heating and its effect on electromigration reliability"Extended Abstracts of the 2001 Intern.Con.on Solid State Devices and Materials. 412-413 (20
S.Miyazaki、H.Sakaue、S.Shingubara、T.Takahagi:“焦耳热引起的互连温升及其对电迁移可靠性影响的研究”2001 年固态器件和材料实习生摘要摘要。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Shingubara, Z.Wang, T.Ida, H.Sakaue, T.Talahagi: "Direct Electroless Plating of Copper on Barrier Metals"Proc. of the 2002 Internaional Interconnect Conference. 176-178 (2002)
S.Shingubara、Z.Wang、T.Ida、H.Sakaue、T.Talahagi:“在阻挡层金属上直接化学镀铜”Proc。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 15 条
DNAナノワイヤリングによる超微細回路の自己集積形成法に関する研究
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批准号:21651059
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$1.98万
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财政年份:2009
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负责人:新宮原 正三
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依托单位:
量子ドット-DNA三次元結合体の自己組織形成による新機能素子の探索
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批准号:14655123
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2002
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负责人:新宮原 正三
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依托单位:
ULSI微細配線におけるエレクトロマイグレーションによる断線不良機構の解明
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批准号:96F00303
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1998
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负责人:新宮原 正三
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依托单位:
国内基金
海外基金
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Lsi1基因对水稻抗UV-B辐射的调节机制研究
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批准号:30971737
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项目类别:面上项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2009
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负责人:林文雄
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依托单位:
VLSI/LSI积木块布图模式总体布线方法研究
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批准号:68876211
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项目类别:面上项目
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资助金额:2.0万元
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批准年份:1988
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负责人:张良震
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依托单位:
VLSI/LSI基本模块自动自生成研究
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批准号:68776011
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项目类别:面上项目
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资助金额:2.0万元
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批准年份:1987
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负责人:戎蒙恬
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依托单位:
用于LSI电位测量的二次电子能量分析器的实验研究
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批准号:68776005
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项目类别:面上项目
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资助金额:2.5万元
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批准年份:1987
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负责人:桂裕宗
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依托单位:
LSI工艺及器件参数统计模拟系统
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批准号:68676020
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项目类别:面上项目
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资助金额:4.0万元
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批准年份:1986
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负责人:夏武颖
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依托单位: