Terahertz quantum cascade lasers based on (GaN)m/(AlN)n monolayer superlattices in order to exploit their potential for high temperature operation
Terahertz quantum cascade lasers based on (GaN)m/(AlN)n monolayer superlattices in order to exploit their potential for high temperature operation
批准号:
17K14113
负责人:
Wang Ke
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2019-03-31
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Hybrid growth of AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes by MBE and MOCVD
MBE和MOCVD混合生长AlGaN深紫外发光二极管
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Wang, N. Maeda, M. Khan, H. Hirayama:]
通讯作者:
H. Hirayama:
GaN系THz量子カスケードレーザーの導波路設計
GaN基太赫兹量子级联激光器波导设计
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[王 科,林 宗澤, 寺嶋 亘、平山 秀樹]
通讯作者:
寺嶋 亘、平山 秀樹
DOI:
10.7567/apex.11.112702
发表时间:
2018-10
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[Tsung-Tse Lin;Li Wang;Ke Wang;T. Grange;H. Hirayama]
通讯作者:
Tsung-Tse Lin;Li Wang;Ke Wang;T. Grange;H. Hirayama
: “MBE grown p-type AlGaN and MBE-MOCVD hybrid deep ultraviolet light emitting diodes
:“MBE 生长的 p 型 AlGaN 和 MBE-MOCVD 混合深紫外发光二极管
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Wang, N. Maeda, K. Mahanmad, H. Hirayama]
通讯作者:
H. Hirayama
Simulation of optical gain for GaN THz QCLs, using non-equilibrium Green’s function method
使用非平衡格林函数方法模拟 GaN THz QCL 的光学增益
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, W. Terashima and H. Hirayama]
通讯作者:
W. Terashima and H. Hirayama
共 12 条
A Study of the Muslim Lineage in Southern China
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批准号:24401038
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.48万
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财政年份:2012
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负责人:Wang Ke
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依托单位:
国内基金
海外基金
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硅基InAs/GaSb超晶格红外探测材料的MBE生长与特性研究
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批准号:62104236
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项目类别:青年科学基金项目(C类)
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2021
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负责人:王楠
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依托单位:
二维拓扑绝缘体薄膜锡烯的MBE原位生长、表征及拓扑性质的调控
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批准号:12004099
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2020
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负责人:宋业恒
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依托单位:
LaMnO3/LaXO3超晶格L-MBE生长及应力和失配诱导的磁电耦合输运性能研究
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批准号:11904198
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2019
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负责人:魏浩铭
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依托单位:
硅基深紫外AlGaN量子点的MBE可控生长及超材料光学特性的研究
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批准号:61804163
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2018
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负责人:赵宇坤
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依托单位:
基于自支撑衬底的GaN基共振隧穿二极管结构设计和MBE生长研究
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批准号:61875224
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项目类别:面上项目
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资助金额:61.0万元
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批准年份:2018
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负责人:边历峰
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依托单位:
基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN的MBE生长及其光伏器件研究
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批准号:61574161
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项目类别:面上项目
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资助金额:65.0万元
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批准年份:2015
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负责人:王辉
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依托单位:
长链非编码RNA-uc002mbe.2介导的HDACi凋亡效应及其在肝癌中的作用
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批准号:81372634
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项目类别:面上项目
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资助金额:85.0万元
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批准年份:2013
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负责人:杨辉
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依托单位:
不同垒层厚度并掺杂的GaNAs基短周期超晶格太阳能电池与MBE生长研究
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批准号:61274134
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项目类别:面上项目
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资助金额:86.0万元
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批准年份:2012
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负责人:郑新和
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依托单位:
内嵌量子点三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge太阳电池材料的MBE生长及器件相关问题研究
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批准号:61176128
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项目类别:面上项目
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资助金额:62.0万元
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批准年份:2011
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负责人:陆书龙
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依托单位:
原子层尺度上可控的铁电薄膜L-MBE制备及其光伏效应研究
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批准号:61076060
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项目类别:面上项目
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资助金额:38.0万元
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批准年份:2010
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负责人:杨平雄
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依托单位: