平衡的全 CMOS LSI，实现超高性能和超低功耗-猫眼课题宝

平衡的全 CMOS LSI，实现超高性能和超低功耗

批准号：

18002004

负责人：

OHMI Tadahiro

金额：

$361.5万

依托单位：

Tohoku University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

财政年份：

2006

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2006 至 2008

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18002004/

关键词：

LSI MOSFET 半導体製造プロセス半導体電子工学半導体製造工学

项目摘要

项目成果

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(1)(551)面SOI基板上にチャネルの方向をpMOSFETは<110>方向にnMOSFETは<110>方向に作製しn-MOSFETとp-MOSFETの寸法を一致させたバランスドCMOS構成、(2)Accumulation型のMOSFET、(3)Si表面の原子オーダの平坦化、(4)ラジカル反応を用いたあらゆる面方位に高品質なSiO_2/Si_3N_4の形成、(5)ソース・ドレイン電極の直列抵抗を2桁低減、これらの開発成果により超高速・超低消費電力バランスドCMOSを実現した。

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发表时间： 2008

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