Balanced Full CMOS LSI for Ultra High Performance and Ultra Low PowerConsumption

平衡的全 CMOS LSI，实现超高性能和超低功耗

• 批准号: 18002004
• 负责人: OHMI Tadahiro
• 金额: $ 361.5万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18002004/
• 关键词: LSI; MOSFET; 半導体製造プロセス; 半導体電子工学; 半導体製造工学

(1)(551)面SOI基板上にチャネルの方向をpMOSFETは<110>方向にnMOSFETは<110>方向に作製しn-MOSFETとp-MOSFETの寸法を一致させたバランスドCMOS構成、(2)Accumulation型のMOSFET、(3)Si表面の原子オーダの平坦化、(4)ラジカル反応を用いたあらゆる面方位に高品質なSiO_2/Si_3N_4の形成、(5)ソース・ドレイン電極の直列抵抗を2桁低減、これらの開発成果により超高速・超低消費電力バランスドCMOSを実現した。

(1) CMOS structure with the same size of n-MOSFET and p-MOSFET in the opposite direction of pMOSFET and nMOSFET in the opposite direction on the (551)-plane SOI substrate<110><110>;(2) Accumulation-type MOSFET;(3) Planarization of Si surface atoms;(4) Formation of high-quality SiO_2/Si_3N_4 in the opposite direction of surface orientation;(5) In-line resistance of high-speed electrode;(2) Low voltage reduction;(3) Ultra-high speed and ultra-low power consumption; and (4) CMOS structure.

项目成果

Angle-resolved Photoelectron Study on the Structures of Silicon Nitride Films and Si_3N_4 / Si Interfaces Formed using Nitrogen-Hydrogen Radicals

氮化硅薄膜结构和氮氢自由基形成的Si_3N_4/Si界面的角分辨光电子研究

• 发表时间: 2008
• 期刊: Journal of Applied Physics 104
• 作者: Tsuneo Okubo;Junichi Okamoto;Akira Tsuchida;Takashi Aratani
• 通讯作者: Takashi Aratani

Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure

使用水中先进开尔文接触器件结构对高性能 CMOS 进行表征

• 发表时间: 2009
• 期刊: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Vol.22,No.1
• 作者: R. Kuroda;A. Teramoto;T. Komori;S. Sugawa;T. Ohmi
• 通讯作者: T. Ohmi

コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

接触形成方法、半导体装置的制造方法以及半导体装置

• 发表时间: 2008

Atomically Flat Gate Insulator / Silicon (100) Interface Formation Technology for High Performance LSI

用于高性能LSI的原子平栅绝缘体/硅(100)界面形成技术

• 发表时间: 2008
• 作者: Takahiro Fuse;Yoshiaki Ono;Akinobu Teramoto
• 通讯作者: Akinobu Teramoto

Revolutional Progress of Silicon Technologies Revolutional Progress of Device Perfoemance and Manufacturing Technologies

硅技术的革命性进步 器件性能和制造技术的革命性进步

• 发表时间: 2007
• 作者: Yamamoto;D;中ノ勇人;T. Ohmi
• 通讯作者: T. Ohmi