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Study on fabrication process of 3-D structured MOS transistor having atomically flat gate insulator/Si interface

Study on fabrication process of 3-D structured MOS transistor having atomically flat gate insulator/Si interface
具有原子级平坦栅绝缘体/Si界面的3D结构MOS晶体管制作工艺研究
批准号：
22000010
负责人：
OHMI Tadahiro
金额：
$394.7万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010-04-21 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22000010/
关键词：
シリコンMOSFETLSI半導体製造プロセス半導体製造装置MOSトランジスタシリコン表面平坦化プラズマプロセス面方位ラフネスシリサイド3次元構造

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Schottky Barrier Height Between Erbium Silicide and Various Morphology of Si (100) Surface Changed by Alkaline Etching
硅化铒的肖特基势垒高度与碱性蚀刻改变的Si(100)表面的各种形貌
DOI： 10.1149/05807.0349ecst
发表时间： 2013
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, and Tadahiro Ohmi]
通讯作者： and Tadahiro Ohmi
Detection of oxidation-induced compressive stress in Si (100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution
以原子级分辨率检测 SiO2/Si 界面附近 Si (100) 衬底中氧化引起的压应力
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Suwa, K. Nagata, H. Nohira, K. Nakajima, A. Teramoto, A. Ogura, K. Kimura, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi]
通讯作者： T. Ohmi
Science-based New Silicon Technologies Exhibiting Super High Performance due to Radical-reaction-based Semiconductor Manufacturing
基于科学的新硅技术由于基于自由基反应的半导体制造而展现出超高性能
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Journal of the Korean Physical Society
影响因子： 0.6
作者： [H.Katada, M.Komiyama, Tadahiro Ohmi]
通讯作者： Tadahiro Ohmi
Radical Oxidation and Radical Nitridation for High Integrity Gate Insulator Films on Any Crystal Orientation Silicon Surface for Super High Performance 3D MOS Transistors
用于超高性能 3D MOS 晶体管的任何晶体取向硅表面上的高完整性栅极绝缘膜的自由基氧化和自由基氮化
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Ogura, S. and Nakazono, S., Tadahiro Ohmi]
通讯作者： Tadahiro Ohmi
共 39 条
    Balanced Full CMOS LSI for Ultra High Performance and Ultra Low PowerConsumption
    • 批准号：
      18002004
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
    • 资助金额：
      $361.5万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Ultra-High-Speed and High-Precision Integration Circuit Using Si(110) Surface Metal Substrate SOI Balanced-CMOS
    • 批准号：
      14205052
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $35.44万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      TOHOKU UNIVERSITY
    Plasma process technology controlling dissociation of process gas for realizing step-by-step investment semiconductor manufacturing
    • 批准号：
      12355014
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $25.86万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Development of ultra-high-speed LSI with gas-isolated-interconnects and Ta metal gate transistors on SOI substrate
    • 批准号：
      12305020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $26.62万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    国内基金
    海外基金
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      于安宁
    • 依托单位：
      重庆科技大学
    SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号：
      2024JJ5044
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吴丽娟
    • 依托单位：
      长沙理工大学