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Intrinsic Hetero-interface Structures and Their Formation

Intrinsic Hetero-interface Structures and Their Formation
本征异质界面结构及其形成
批准号：
18106001
负责人：
TAKEDA Yoshikazu
金额：
$74.38万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18106001/
关键词：
ヘテロ界面結晶成長CTR散乱法X線構造解析配列ナノ空間物質金属内包フラーレン

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1)利用实验室X射线源，制作了能够研究埋层界面的X射线CTR散射测量系统; 2）通过X射线衍射、X射线CTR散射和X射线反射率等方法，对异质结构的形成进行了原位观察; 3）对异质结构和器件结构特性进行了关联。
英文摘要
1) The X-ray CTR scattering measurement system that uses laboratory X-ray sources and that can investigate the buried interfaces was fabricated.2) The hetero-structure formation was observed in situ by X-ray diffraction, X-ray CTR scattering, and X-ray reflectivity.3) The hetero-structure and device structure properties were correlated.
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In situ X-ray measurements of MOVPE growth of In_xGa_<1-x>N single quantum well
In_xGa_<1-x>N单量子阱MOVPE生长的原位X射线测量
DOI： --
发表时间： 2013
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [G.X.Ju, S.Fuchi, M.Tabuchi, and Y.Takeda]
通讯作者： and Y.Takeda
Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator
使用 Johansson 单色仪开发新型 X 射线 CTR 散射测量系统
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
影响因子： --
作者： [M.Tabuchi, Y.Takeda, 他]
通讯作者： 他
X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface
X射线CTR散射测量研究InP/GaInAs界面的形成过程
DOI： 10.1088/1742-6596/83/1/012031
发表时间： 2007
期刊： Journal of Physics : Conference Series
影响因子： --
作者： [M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda]
通讯作者： and Y. Takeda
OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定(EMS賞受賞)
基于实验室的 X 射线 CTR 散射测量，用于 OMVPE 生长中半导体异质界面的原位观察（EMS 奖获得者）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和]
通讯作者： 竹田美和
共 62 条
    Improvement of quantum efficiency of super-high brightness and high spin-polarization photocathodes
    Fabrication of Semiconductor Light Amplifier using Ultra-High Co-Doping of Er and O
    • 批准号：
      13305022
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $27.54万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      TAKEDA Yoshikazu
    • 依托单位：
      Nagoya University
    CRYSTAL STRUCTURE ANALYSIS OF SURFACE AND INTERFACE 1 ATOMIC LAYER AND CONTROL OF HETEROSTRUCTURE GROWTH
    • 批准号：
      09305003
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $24.9万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      TAKEDA Yoshikazu
    • 依托单位：
      NAGOYA UNIVERSITY
    RESEARCH ON ATOMIC LAYER CONTROLLED GROWTH AND CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR QUANTUM STRUCTURES WITH DIFFERENT GROUP-V ATOMS
    • 批准号：
      07455007
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $5.38万
    • 财政年份：
      1995
    • 负责人：
      TAKEDA Yoshikazu
    • 依托单位：
      NAGOYA UNIVERSITY
    海外基金