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Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen
6H-SiC 上的应变 AlGaN/InGaN 双异质结构：结构、电性能和 HEMT 应用
基本信息
- 批准号：5372864
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：德国
- 项目类别：Priority Programmes
- 财政年份：1997
- 资助国家：德国
- 起止时间：1996-12-31 至 2001-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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