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Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen

Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen
6H-SiC 上的应变 AlGaN/InGaN 双异质结构：结构、电性能和 HEMT 应用
批准号：
5372864
负责人：
Professorin Dr. Angela Rizzi
金额：
$0.0万
依托单位：
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1997
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1996-12-31 至 2001-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372864?language=en
关键词：
VerspannteAlGaNInGaNDoppelheterostrukturenauf

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  • 批准号：
    2025JJ50043
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    王慧敏
  • 依托单位：
    湘潭大学
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