Research of dislocation-free silicon-carbide growth
Research of dislocation-free silicon-carbide growth
无位错碳化硅生长研究
批准号：
20560301
负责人：
HATAYAMA Tomoaki
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
中文摘要
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英文摘要
A surface modification and lateral growth were applied to reduce the dislocation in the SiC grown layers. When a SiC layer was grown on the surface modified substrate, the basal plane dislocations were converted to the threading dislocations. The dislocation density in SiC could be reduced at the lateral growth area.
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Characterization of 4H-SiC Analyzed by Cathodeluminescenee and Electron-Beam Induced Current Methods
采用阴极发光和电子束感应电流方法分析 4H-SiC 的表征
采用阴极发光和电子束感应电流方法分析 4H-SiC 的表征
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[張晶, 遠野充明, 奥野誠亮, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚, T. Hatayama]
通讯作者：
T. Hatayama
Characterization of 4H-SiC analyzed by cathodeluminescence and electron-beam induced current methods
通过阴极发光和电子束感应电流方法分析 4H-SiC 的表征
通过阴极发光和电子束感应电流方法分析 4H-SiC 的表征
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畑山智亮, 他3名]
通讯作者：
他3名
Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen
氯氧混合气体中SiC的各向异性刻蚀
氯氧混合气体中SiC的各向异性刻蚀
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Materials Science Forum (in press)
影响因子：
--
作者：
[何 継方, 他3名, Tomoaki Hatayama]
通讯作者：
Tomoaki Hatayama
SiCにおけるエッチピット形状オフ角度およびポリタイプ依存性
SiC 中的蚀刻坑形状偏角和多型依赖性
SiC 中的蚀刻坑形状偏角和多型依赖性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畑山智亮, 纐纈英典, 矢野裕司, 冬木隆]
通讯作者：
冬木隆
塩素ガス熱エッチングにおける結晶面異方性を活用したSiCトレンチ底部の形状制御
氯气热刻蚀中利用晶面各向异性控制 SiC 沟槽底部的形状
氯气热刻蚀中利用晶面各向异性控制 SiC 沟槽底部的形状
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[纐纈英典, 畑山智亮, 他3名]
通讯作者：
他3名
共 19 条
Surface Modification and High-Resolution Nondistractive Analysis toward Dislocation-free SiC Growth
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批准号：18560305
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.44万
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财政年份：2006
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负责人：HATAYAMA Tomoaki
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依托单位：
海外基金