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MOS Structure with Si-Implanted Oxide for Light Emitting Device Embedded in LSI

MOS Structure with Si-Implanted Oxide for Light Emitting Device Embedded in LSI
用于LSI内嵌发光器件的硅注入氧化物MOS结构
批准号：
20560307
负责人：
MATSUDA Toshihiro
金额：
$2.33万
依托单位：
Toyama Prefectural University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560307/
关键词：
シリコンMOS発光イオン注入MOS容量エレクトロルミネッセンスイオン・ビーム・スパッタ透明電極

项目摘要

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As a silicon based light emitting device embedded in LSI (Large Scale Integration), an MOS(Metal Oxide Semiconductor)structure with silicon (Si) implanted gate oxide was studied. Si implantation caused hysteresis in current-voltage characteristics. Si implantation conditions such as energy and dose changed wavelength of light emission, and light emission model was proposed.
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会议论文
Siイオン注入型発光素子の電気的および発光特性
硅离子注入发光器件的电学和发光特性
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [野原慎吾, 松田敏弘, 岩田栄之]
通讯作者： 岩田栄之
Siイオンを注入したMOS 型発光素子の電気的および発光特性
Si离子注入MOS型发光器件的电学和发光特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [石丸真佑, 松田敏弘, 岩田栄之]
通讯作者： 岩田栄之
Spectrum Analysis of Electroluminescence from MOS Capacitors with Si-Implanted SiO2
硅注入 SiO2 MOS 电容器电致发光的光谱分析
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [N.Mori, M.Yoshida, S.Katoda, T.Ishibashi, Y.Takano, 松田敏弘]
通讯作者： 松田敏弘
Siイオン注入型素子の電気的特性
Si离子注入器件的电特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [R.Tateno, K.Nansai, T.Satou, M.Senda, N.Mori, 石丸真佑]
通讯作者： 石丸真佑
共 7 条
    Blue electroluminescence device by MOS structure with Si-implanted SiO_2
    • 批准号：
      17560289
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.73万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      MATSUDA Toshihiro
    • 依托单位：
      Toyama Prefectural University
    A Study of Market Power and Price Volatility Risk in Japan Electric Power Exchange
    • 批准号：
      17530197
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.73万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      MATSUDA Toshihiro
    • 依托单位：
      Otemon Gakuin University
    Visible electroluminescence device by MOS structure with Si-implanted SiO_2
    • 批准号：
      15560280
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.09万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      MATSUDA Toshihiro
    • 依托单位：
      Toyama Prefectural University
    国内基金
    海外基金
    基于霍尔解耦的二维MoS₂相梯度湿气发电电子-离子协同输运研究
    • 批准号：
      2026JJ50113
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄晖辉
    • 依托单位：
      湖南大学
    光辅助Li-CO2电池中MoS2催化剂性能调控及机理研究
    • 批准号：
      2026JJ90008
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      赵亭亭
    • 依托单位：
      长沙理工大学
    基于MoS2欧姆接触强化锂硫电池双向电催化转化机制的研究
    • 批准号：
      JCZRQNB202600380
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
    • 依托单位：
      湖北第二师范学院
    (BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
    • 批准号：
      2026JJ50115
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      陈智慧
    • 依托单位：
      中南大学