MOS Structure with Si-Implanted Oxide for Light Emitting Device Embedded in LSI

用于LSI内嵌发光器件的硅注入氧化物MOS结构

• 批准号: 20560307
• 负责人: MATSUDA Toshihiro
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Toyama Prefectural University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560307/
• 关键词: シリコン; MOS; 発光; イオン注入; MOS容量; エレクトロルミネッセンス; イオン・ビーム・スパッタ; 透明電極

As a silicon based light emitting device embedded in LSI (Large Scale Integration), an MOS(Metal Oxide Semiconductor)structure with silicon (Si) implanted gate oxide was studied. Si implantation caused hysteresis in current-voltage characteristics. Si implantation conditions such as energy and dose changed wavelength of light emission, and light emission model was proposed.

作为嵌入LSI（大规模集成电路）中的硅基发光器件，研究了具有硅（Si）注入栅极氧化物的MOS（金属氧化物半导体）结构。硅离子注入引起的电流-电压特性的滞后。研究了硅离子注入能量、剂量等条件对发光波长的影响，并提出了发光模型。

项目成果

Siイオン注入型発光素子の電気的および発光特性

硅离子注入发光器件的电学和发光特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 野原慎吾;松田敏弘;岩田栄之
• 通讯作者: 岩田栄之

Siイオンを注入したMOS 型発光素子の電気的および発光特性

Si离子注入MOS型发光器件的电学和发光特性

• 发表时间: 2008
• 作者: 石丸真佑;松田敏弘;岩田栄之
• 通讯作者: 岩田栄之

Spectrum Analysis of Electroluminescence from MOS Capacitors with Si-Implanted SiO2

硅注入 SiO2 MOS 电容器电致发光的光谱分析

• 发表时间: 2009
• 作者: N.Mori;M.Yoshida;S.Katoda;T.Ishibashi;Y.Takano;松田敏弘
• 通讯作者: 松田敏弘

Siイオンを注入したMOS型発光素子の電気的および発光特性

Si离子注入MOS型发光器件的电学和发光特性

• 发表时间: 2009
• 作者: 野原慎吾;松田敏弘;岩田栄之
• 通讯作者: 岩田栄之

Siイオン注入型素子の電気的特性

Si离子注入器件的电特性

• 发表时间: 2008
• 作者: R.Tateno;K.Nansai;T.Satou;M.Senda;N.Mori;石丸真佑
• 通讯作者: 石丸真佑