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Investigation of SiGe/Si hetero interface to provide a device for producing multi-valued signals using light-induced current modulation

研究 SiGe/Si 异质界面以提供使用光感应电流调制产生多值信号的装置

基本信息

批准号：
22560339
负责人：
FUJINAGA Kiyohisa
金额：
$ 2.16万
依托单位：
Hokkaido Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

A device for producing multi-valued signals using light-induced current modulation was investigated. The device structure consisted of a light-receiving part for generating holes by laser irradiation and a p-type MOSFET for detecting hole current. The light-receiving part was made by SiGe quantum wells on SOI substrate. The relationship between Si barrier layer thickness and quantum energy level was obtained by the computer simulation and the simulated data was applied to design the light-receiving part structure. The MOSFET with buried SiGe quantum well channel was formed by using the buried silicon oxide of SOI substrate as the gate oxide. The device characteristics of MOSFET showed that the device was useful as the MOSFET for detecting and amplifying hole current.

研究了一种利用光感应电流调制产生多值信号的装置。器件结构由激光照射产生空穴的光接收部分和检测空穴电流的p型MOSFET组成。光接收部分在SOI衬底上采用SiGe量子阱制作。通过计算机模拟得到了硅势垒层厚度与量子能级之间的关系，并将模拟数据应用于光接收部分结构的设计。采用SOI衬底的埋置氧化硅作为栅极氧化物，形成埋置SiGe量子阱沟道的MOSFET。MOSFET的器件特性表明，该器件可作为MOSFET用于检测和放大空穴电流。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

機械故障による生産遅延発生時における再スケジューリングの最適化

优化因机器故障导致生产延迟时的重新安排

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhewang Ma;Chun-Ping Chen;and Tetsuo Anada;A.Enokihara;竹内光明;西本昌彦;蔵徹郎,藤永清久
通讯作者：
蔵徹郎,藤永清久

GAと再帰的伝搬法を用いたジョブショップスケジューリング

使用遗传算法和递归传播方法进行作业车间调度

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.Kawai;H.Taniguchi;I.Ohta and A.Enokihara;Mineo Kaneko;蔵徹郎,藤永清久
通讯作者：
蔵徹郎,藤永清久

ジョブショップスケジューリングにおけるGAと再帰的伝搬法の比較検討

遗传算法与递归传播法在车间调度中的比较研究

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
木村徹;馬哲旺;陳春平;穴田哲夫;小林禧夫;蔵徹郎,藤永清久
通讯作者：
蔵徹郎,藤永清久

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DOI：
10.4307/jsee.62.1_72
发表时间：
2014
期刊：
Journal of JSEE
影响因子：
0
作者：
党羽;金子峰雄;古谷健悟;西本昌彦;藤永清久
通讯作者：
藤永清久

SIMOX基板の埋め込み酸化膜をゲートに用いたSiGe p-MOSFETの電気特性

采用SIMOX衬底埋氧化膜作为栅极的SiGe p-MOSFET的电特性

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
電子情報通信学会論文誌C
影响因子：
0
作者：
Keisuke Inoue;Mineo Kaneko;福島大貴;木村徹,馬哲旺,陳春平,穴田哲夫,小林禧夫;藤永清久
通讯作者：
藤永清久

DOI：
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作者：
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