Development of formation technology for nano spintronics device

纳米自旋电子器件形成技术的发展

• 批准号: 23560355
• 负责人: IKEDA Shoji
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560355/
• 关键词: 磁気トンネル接合; MRAM

A difference in the EB-resist pattern formation depending on the HMDS coating process was confirmed. By improvement of this process, formation of MTJ of less than 30 nm was enabled. Material research such as CoFeB/MgO stack and double MgO stack structures have been performed for realization of MTJ of less than 30 nm.

确认了取决于HMDS涂覆工艺的EB抗蚀剂图案形成的差异。通过改进该工艺，能够形成小于30 nm的MTJ。为了实现小于30 nm的MTJ，已经进行了诸如CoFeB/MgO堆叠和双MgO堆叠结构的材料研究。

项目成果

Top MgO layer thickness dependence of magnetic anisotropy in MgO/FeB/MgO stacks

MgO/FeB/MgO 叠层中磁各向异性的顶部 MgO 层厚度依赖性

• 发表时间: 2014
• 作者: Y. Horikawa;S.Ishikawa;S. Ikeda;H. Sato;S. Fukami;M. Yamanouchi;F. Matsukura;and H. Ohno
• 通讯作者: and H. Ohno

Magnetic anisotropy in CoFe(B)/MgO stack structures

CoFe(B)/MgO 堆叠结构中的磁各向异性

• 发表时间: 2012
• 作者: S. Ikeda;R. Koizumi;S. Ishikawa;H. Sato;M.Yamanouchi;K. Mizunuma;S. Kanai;F. Matsukura;H. Ohno
• 通讯作者: H. Ohno

スピントロニクスの基礎

自旋电子学基础

• 发表时间: 2012
• 作者: 池田正二;佐藤英夫;山ノ内路彦;石川慎也;水沼広太朗;金井駿;深見俊輔;松倉文礼;笠井直記;大野英男;堀川喜久，石川慎也，池田正二，佐藤英夫，山ノ内路彦，深見俊輔，松倉文礼，大野英男;池田正二
• 通讯作者: 池田正二

B concentration dependence of magnetic anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure

MgO/CoFeB/Ta叠层结构中磁各向异性的B浓度依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: R. Koizumi;S. Ikeda;H. Sato;M. Yamanouchi;K. Miura;K. Mizunuma;H. D. Gan;F. Matsukura;and H. Ohno
• 通讯作者: and H. Ohno

MgO/Fe(B)/MgO積層膜の磁気特性

MgO/Fe(B)/MgO多层薄膜的磁性能

• 发表时间: 2013
• 作者: 堀川喜久;石川慎也;池田正二;佐藤英夫;山ノ内路彦;深見俊輔;松倉文礼;大野英男
• 通讯作者: 大野英男