Study on fully digital ratio-less SRAM design for avoiding the variability and aging effects of device characteristics
避免器件特性变异和老化影响的全数字无比率SRAM设计研究
基本信息
- 批准号:24560408
- 负责人:
- 金额:$ 3.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
A Measurement of Ratio-less 12-transistor SRAM cell Operation at Ultra-low Supply-voltage
超低电源电压下无比率 12 晶体管 SRAM 单元操作的测量
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Kondo;H. Yamamoto;H. Imi;H. Okamura;K. Nakamura
- 通讯作者:K. Nakamura
Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation
用于超低电源电压运行的无比全互补 12 晶体管静态随机存取存储器
- DOI:10.7567/jjap.54.04dd11
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Takahiro Kondo;Hiromasa Yamamoto;Satoko Hoketsu;Hitoshi Imi;Hitoshi Okamura;Kazuyuki Nakamura
- 通讯作者:Kazuyuki Nakamura
Mosaic SRAM Cell TEGs with Intentionally-added Device Variability for Confirming the Ratio-less SRAM Operation
Mosaic SRAM 单元 TEG 有意添加器件可变性,用于确认无比率 SRAM 操作
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hitoshi Okamura;Takahiko Saito;Hiroaki Goto;Masahiro Yamamoto and Kazuyuki Nakamura
- 通讯作者:Masahiro Yamamoto and Kazuyuki Nakamura
CMOS SRAMセルのしきい値電圧ばらつき耐性評価用TEGの設計及び評価
用于评估 CMOS SRAM 单元阈值电压变化容限的 TEG 设计和评估
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Kondo;H. Yamamoto;H. Imi;H. Okamura;K. Nakamura;伊見 仁,徳丸 翔吾,岡村 均,中村 和之
- 通讯作者:伊見 仁,徳丸 翔吾,岡村 均,中村 和之
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