课题基金 / 基金详情

Study on fully digital ratio-less SRAM design for avoiding the variability and aging effects of device characteristics

Study on fully digital ratio-less SRAM design for avoiding the variability and aging effects of device characteristics
避免器件特性变异和老化影响的全数字无比率SRAM设计研究
批准号：
24560408
负责人：
NAKAMURA KAZUYUKI
金额：
$3.41万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560408/
关键词：
CMOSSRAMLSI素子ばらつき経年劣化マージンレシオレス低電圧メモリノイズマージンSNMスタティックノイズマージスタティックノイズマージン

项目摘要

项目成果

NAKAMURA KAZUYUKI的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
A Measurement of Ratio-less 12-transistor SRAM cell Operation at Ultra-low Supply-voltage
超低电源电压下无比率 12 晶体管 SRAM 单元操作的测量
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Kondo, H. Yamamoto, H. Imi, H. Okamura, K. Nakamura]
通讯作者： K. Nakamura
半導体記憶装置
半导体存储器件
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation
用于超低电源电压运行的无比全互补 12 晶体管静态随机存取存储器
DOI： 10.7567/jjap.54.04dd11
发表时间： 2015
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Takahiro Kondo, Hiromasa Yamamoto, Satoko Hoketsu, Hitoshi Imi, Hitoshi Okamura, Kazuyuki Nakamura]
通讯作者： Kazuyuki Nakamura
Mosaic SRAM Cell TEGs with Intentionally-added Device Variability for Confirming the Ratio-less SRAM Operation
Mosaic SRAM 单元 TEG 有意添加器件可变性，用于确认无比率 SRAM 操作
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Hitoshi Okamura, Takahiko Saito, Hiroaki Goto, Masahiro Yamamoto and Kazuyuki Nakamura]
通讯作者： Masahiro Yamamoto and Kazuyuki Nakamura
共 7 条
    Study on fully digital ternary content addressable memory for high-speed processing of the big data.
    • 批准号：
      15K06021
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      NAKAMURA KAZUYUKI
    • 依托单位：
      Kyushu Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    亚20nm FinFET工艺下SRAM单粒子翻转机制及抗辐照加固关键技术研究
    基于 SRAM 的高能效高安全存算一体芯片研究
    • 批准号：
      2024JJ5093
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      陈卓俊
    • 依托单位：
      湖南大学
    RRAM/SRAM异构存算一体片上训练智能芯粒研究
    • 批准号：
      62304047
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      朱浩哲
    • 依托单位：
      复旦大学
    基于动态计算电压的高能效SRAM存算芯片关键技术研究
    • 批准号：
      62371223
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      49万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      杜力
    • 依托单位：
      南京大学