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Study on fully digital ternary content addressable memory for high-speed processing of the big data.
用于大数据高速处理的全数字三态内容寻址存储器研究
基本信息
- 批准号：15K06021
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-10-21 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fully Digital Ternary Content Addressable Memory using Ratio-less SRAM Cells and Hierarchical-AND Matching Comparator for Ultra-low-voltage Operation
使用无比率 SRAM 单元和分层与匹配比较器实现超低电压操作的全数字三态内容可寻址存储器
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Nishikata;M. A. Bin Mohd Ali;K. Hosoda;H.Matsumoto;K. Nakamura
- 通讯作者：K. Nakamura
Vth-Shiftable SRAM Cell TEGs for Direct Measurement for the immunity of the Threshold Voltage Variability
Vth 可移位 SRAM 单元 TEG，用于直接测量阈值电压变化的抗扰度
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Yamaguchi;H. Imi;S. Tokumaru;T Kondo;H. Yamamoto;K. Nakamura
- 通讯作者：K. Nakamura
Design and measurement of fully digital ternary content addressable memory using ratioless static random access memory cells and hierarchical-AND matching comparator
使用无比静态随机存取存储器单元和分层与匹配比较器设计和测量全数字三态内容可寻址存储器
- DOI：10.7567/jjap.57.04ff11
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：D. Nishikata;M. A. Bin Mohd Ali;K. Hosoda;H.Matsumoto;K. Nakamura
- 通讯作者：K. Nakamura
Self-stabilization techniques for intermediate power level in stacked-Vdd integrated circuits using DC-balanced coding methods
使用直流平衡编码方法的堆叠 Vdd 集成电路中中间功率电平的自稳定技术
- DOI：10.7567/jjap.55.04ef06
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Yusuke Kohara;Naoya Kubo;Tomofumi Nishiyama;Taiki Koizuka;Mohammad Alimudin;Amirul Rahmat;Hitoshi Okamura;Tomoyuki Yamanokuchi;Kazuyuki Nakamura
- 通讯作者：Kazuyuki Nakamura
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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$ 2.91万 - 项目类别：
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18K11229 - 财政年份：2018
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$ 2.91万 - 项目类别：
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无自热效应 p/n 堆叠 NW/Bulk-FinFET 和 6T-SRAM
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- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
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SHF：小型：晶体管级单片 3D SRAM 设计空间的探索
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$ 2.91万 - 项目类别：
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