课题基金 / 基金详情

Study on fully digital ternary content addressable memory for high-speed processing of the big data.

Study on fully digital ternary content addressable memory for high-speed processing of the big data.
用于大数据高速处理的全数字三态内容寻址存储器研究
批准号：
15K06021
负责人：
NAKAMURA KAZUYUKI
金额：
$2.91万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-10-21 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K06021/
关键词：
TCAMSRAM素子劣化レシオレスばらつき動作マージン低電圧連想メモリCAM低消費電力検索ハードウエアエンジン超低電圧

项目摘要

项目成果

NAKAMURA KAZUYUKI的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
符号変換回路及び並列信号変換送受信システム
代码转换电路和并行信号转换发送/接收系统
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Fully Digital Ternary Content Addressable Memory using Ratio-less SRAM Cells and Hierarchical-AND Matching Comparator for Ultra-low-voltage Operation
使用无比率 SRAM 单元和分层与匹配比较器实现超低电压操作的全数字三态内容可寻址存储器
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Nishikata, M. A. Bin Mohd Ali, K. Hosoda, H.Matsumoto, K. Nakamura]
通讯作者： K. Nakamura
Vth-Shiftable SRAM Cell TEGs for Direct Measurement for the immunity of the Threshold Voltage Variability
Vth 可移位 SRAM 单元 TEG，用于直接测量阈值电压变化的抗扰度
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Yamaguchi, H. Imi, S. Tokumaru, T Kondo, H. Yamamoto, K. Nakamura]
通讯作者： K. Nakamura
Design and measurement of fully digital ternary content addressable memory using ratioless static random access memory cells and hierarchical-AND matching comparator
使用无比静态随机存取存储器单元和分层与匹配比较器设计和测量全数字三态内容可寻址存储器
DOI： 10.7567/jjap.57.04ff11
发表时间： 2018
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [D. Nishikata, M. A. Bin Mohd Ali, K. Hosoda, H.Matsumoto, K. Nakamura]
通讯作者： K. Nakamura
Study on fully digital ratio-less SRAM design for avoiding the variability and aging effects of device characteristics
  • 批准号：
    24560408
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.41万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    NAKAMURA KAZUYUKI
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
国内基金
海外基金
亚20nm FinFET工艺下SRAM单粒子翻转机制及抗辐照加固关键技术研究
基于 SRAM 的高能效高安全存算一体芯片研究
  • 批准号：
    2024JJ5093
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    陈卓俊
  • 依托单位：
    湖南大学
RRAM/SRAM异构存算一体片上训练智能芯粒研究
  • 批准号：
    62304047
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30.00万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    朱浩哲
  • 依托单位：
    复旦大学
基于动态计算电压的高能效SRAM存算芯片关键技术研究
  • 批准号：
    62371223
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    49万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    杜力
  • 依托单位：
    南京大学