Flexible and transparent circuits for stacked image sensor application
Flexible and transparent circuits for stacked image sensor application
用于堆叠图像传感器应用的柔性透明电路
批准号：
16K06309
负责人：
FURUTA MAMORU
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Mobility enhancement of InGaZnOx thin-film transistor by hetero-channel with a different composition
不同成分异质沟道增强InGaZnOx薄膜晶体管的迁移率
不同成分异质沟道增强InGaZnOx薄膜晶体管的迁移率
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Fujisawa, T. Takahashi, S. Kawamura, S. Fujikawa, and H.I. Fujishiro, Mamoru Furuta]
通讯作者：
Mamoru Furuta
Activation and Defect Reduction of Hydrogenated InGaZnOx Thin Film Transistor at Low Temperature (150 °C)
氢化InGaZnOx薄膜晶体管在低温（150℃）下的激活和缺陷减少
氢化InGaZnOx薄膜晶体管在低温（150℃）下的激活和缺陷减少
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fujikawa, J. Takeuchi, Y. Harada, and H. I. Fujishiro, S G Mehadi Aman]
通讯作者：
S G Mehadi Aman
InGaZnO/AgOX酸化物ヘテロ界面によるショットキー特性評価
使用 InGaZnO/AgOX 氧化物异质界面评估肖特基特性
使用 InGaZnO/AgOX 氧化物异质界面评估肖特基特性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Retdian, T. Shima, 曲 勇作]
通讯作者：
曲 勇作
Reliability and DC performance of InGaZnO Thin-Film Transistors with TEOS-based SiO2 Stack Passivation
采用基于 TEOS 的 SiO2 堆栈钝化的 InGaZnO 薄膜晶体管的可靠性和直流性能
采用基于 TEOS 的 SiO2 堆栈钝化的 InGaZnO 薄膜晶体管的可靠性和直流性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S G Mehadi Aman, 是友大地, 田中宏怜, 古田守]
通讯作者：
古田守
In-Ga-Zn-O成膜温度が薄膜トランジスタ特性および信頼性に及ぼす影響
In-Ga-Zn-O成膜温度对薄膜晶体管特性和可靠性的影响
In-Ga-Zn-O成膜温度对薄膜晶体管特性和可靠性的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田中宏怜, 東龍之介, 古田守]
通讯作者：
古田守
共 59 条
Zinc oxide transparent transistor and its application to stacked image sensor
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批准号：23560408
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.41万
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财政年份：2011
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负责人：FURUTA MAMORU
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依托单位：
海外基金