Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces
Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces
批准号:
249760-2002
负责人:
Haddara, Yaser
金额:
$1.6万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
财政年份:
2003
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2003-01-01 至 2004-12-31
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Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
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批准号:249760-2011
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2015
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
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批准号:249760-2011
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2014
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
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批准号:249760-2011
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2013
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
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批准号:249760-2011
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2012
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
-
批准号:249760-2011
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2011
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Process modeling and RF circuit applications for SiGe technology
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批准号:249760-2006
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.72万
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财政年份:2010
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Process modeling and RF circuit applications for SiGe technology
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批准号:249760-2006
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.72万
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财政年份:2009
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Process modeling and RF circuit applications for SiGe technology
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批准号:249760-2006
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.72万
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财政年份:2008
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Process modeling and RF circuit applications for SiGe technology
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批准号:249760-2006
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.72万
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财政年份:2007
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Process modeling and RF circuit applications for SiGe technology
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批准号:249760-2006
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.72万
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财政年份:2006
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Silicon Germanium process modeling
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批准号:330586-2006
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项目类别:Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2005
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces
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批准号:249760-2002
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2005
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces
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批准号:249760-2002
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2004
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces
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批准号:249760-2002
-
项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2002
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负责人:Haddara, Yaser
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依托单位:
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四元Heusler合金Co-Fe-MnZ (Z= Ga, Si, Ge)相关伪三元系相图及其化合物的结构与磁电性能
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依托单位:
高压下H3S-MH4(M = C, Si, Ge, Sn)的非谐量子效应及其超导电性的理论研究
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负责人:侯朴赓
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