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Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces

Modeling si-ge interdiffusion at si/sige interfaces
模拟 si/sige 界面处的 si-ge 相互扩散
批准号：
249760-2002
负责人：
Haddara, Yaser
金额：
$1.6万
依托单位：
McMaster University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
2005
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2005-01-01 至 2006-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=307177
关键词：
Modelingsigeinterdiffusionsige

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Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
  • 批准号：
    249760-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.04万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Haddara, Yaser
  • 依托单位：
    McMaster University
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
  • 批准号：
    249760-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.04万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Haddara, Yaser
  • 依托单位：
    McMaster University
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
  • 批准号：
    249760-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.04万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    Haddara, Yaser
  • 依托单位：
    McMaster University
Fabrication and process modeling of silicon based material structures for nanoscale microelectronics and photonics
  • 批准号：
    249760-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.04万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Haddara, Yaser
  • 依托单位：
    McMaster University
国内基金
海外基金
四元Heusler合金Co-Fe-MnZ (Z= Ga, Si, Ge)相关伪三元系相图及其化合物的结构与磁电性能
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    地区科学基金项目
  • 资助金额：
    33万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    何维
  • 依托单位：
    广西大学
宽带隙半导体M3N4(M=Si,Ge)的高压制备与光电应用研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    马帅领
  • 依托单位：
    宁波大学
黄铜矿半导体ZnXP2(X=Si,Ge,Sn)高压下的阳离子无序调控及物性研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    袁亦方
  • 依托单位：
    郑州大学
高压下H3S-MH4(M = C, Si, Ge, Sn)的非谐量子效应及其超导电性的理论研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    --
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    侯朴赓
  • 依托单位：
    东北电力大学