Impact des techniques récentes et émergentes d'encapsulation des circuits intégrés sur la qualité de leur alimentation et incidences sur le test et diagnostic

技术方案，科特迪瓦，电路集成S，连接sous le nom d‘encapsation 2.5D et 3D。L的封装2.5D，最好的代表是可配置的某些电路国际S商业，包括作为买家的S的硅谷，谁的居间无源的硅谷，以及互通互通形成垂直立交(通过硅谷，tsv？)。L的3D封装，即定量，包含了《S和硅谷》的主人公。S的电影《中国日报》、《中国日报》。L的封装3D EST再加上INTERENSANCENT，cette技术是一种新的技术，它的优势是，而不是

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes, voire émergentes, d'encapsulation des circuits intégrés, connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D, qui est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux, consiste à empiler des dés de silicium, les uns à côté des autres, sur une couche intermédiaire passive de silicium, au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales (« Through-Silicon Vias, TSV »). L'encapsulation 3D, quant à elle, consiste à empiler des dés de silicium, les uns par-dessus les autres. Dans ce cas, les TSV sont présents dans les dés empilés. Par rapport à l'encapsulation conventionnelle (2D), ces techniques offrent un très grand potentiel en termes de bande passante et performance, et ce pour une faible puissance de dissipation. Si le potentiel de l'encapsulation 3D est encore plus intéressant, cette technique se heurte à davantage de défis, notamment en ce