Impact des techniques récentes et émergentes d'encapsulation des circuits intégrés sur la qualité de leur alimentation et incidences sur le test et diagnostic

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes，voire émergentes，d'encapsulation des circuits intégrés，connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D，whi est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux，consiste à empier des dés de silicium，les uns à côté des autres，sur une couche intermediaire passive de silicium，Au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales（“硅通孔，TSV”）. L'encapsulation 3D，quant à elle，consiste à empier des dés de silicium，les uns par-dessus les autres.在这种情况下，TSV将出现在企业中。与传统封装（2D）相比，这些技术在传输带和性能方面具有巨大的潜力，而且耗散能力很弱。如果3D封装的潜力再大一些，那么这种技术将具有很大的优势，尤其是 关于电路的测试。 该计划旨在研究2.5D和3D封装的使用对集成电路营养质量的影响，尤其是在测试和诊断过程中。 该方案列入了企业重组工作的一套逻辑。这些工作允许其他人观察营养变化现象，这些变化不是由利用时钟频率的互调引起的，也不是加剧了集成电路营养网络的共振频率。Les résultats obtenus justqu'à maintenant，à l'aide de circuits intégrés americans de manière conventionnelle，montrent que ce phénomène peut avoir des incidences sur la performance de ces circuits. 这种现象和发生率在2.5D和3D水平上发生了变化。实际上，这些电流源的电流源可以与这些封装类型一起产生。此外，在装配和测试过程中，通过Au毛皮和测量方法，可以Au niveAu niveAu d 'alimentation pendance d' alimentation pendance d 'assembly et de test，这些差异加边界可以使我们在其他人（2.5D）或其他人（3D）的côté上获得。

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes, voire émergentes, d'encapsulation des circuits intégrés, connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D, qui est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux, consiste à empiler des dés de silicium, les uns à côté des autres, sur une couche intermédiaire passive de silicium, au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales (« Through-Silicon Vias, TSV »). L'encapsulation 3D, quant à elle, consiste à empiler des dés de silicium, les uns par-dessus les autres. Dans ce cas, les TSV sont présents dans les dés empilés. Par rapport à l'encapsulation conventionnelle (2D), ces techniques offrent un très grand potentiel en termes de bande passante et performance, et ce pour une faible puissance de dissipation. Si le potentiel de l'encapsulation 3D est encore plus intéressant, cette technique se heurte à davantage de défis, notamment en ce qui concerne le test des circuits. Ce programme vise à investiguer les effets de l'utilisation de l'encapsulation 2.5D et 3D sur la qualité de l'alimentation des circuits intégrés, en particulier durant le processus de test et diagnostic. Ce programme s'inscrit dans la suite logique de travaux récemment entrepris. Ces travaux ont entre autres permis d'observer un phénomène de variations de l'alimentation, variations qui sont induites par l'intermodulation de fréquences d'horloge utilisées et qui sont exacerbées aux fréquences de résonance du réseau d'alimentation des circuits intégrés. Les résultats obtenus jusqu'à maintenant, à l'aide de circuits intégrés encapsulés de manière conventionnelle, montrent que ce phénomène peut avoir des incidences sur la performance de ces circuits. Ce phénomène et ses incidences devraient être amplifiés par les encapsulations 2.5D et 3D. En effet, des boucles de courant supplémentaires peuvent se créer avec ces types d'encapsulation. De plus, des différences plus marquées sont prévues au niveau de l'impédance du réseau d'alimentation pendant le processus d'assemblage et de test, au fur et à mesure que les dés sont empilés les uns à côté des autres (2.5D) ou les uns sur les autres (3D).