Impact des techniques récentes et émergentes d'encapsulation des circuits intégrés sur la qualité de leur alimentation et incidences sur le test et diagnostic

技术方案，科特迪瓦，电路集成S，连接sous le nom d‘encapsation 2.5D et 3D。L的封装2.5D，最好的代表是可配置的某些电路国际S商业，包括作为买家的S的硅谷，谁的居间无源的硅谷，以及互通互通形成垂直立交(通过硅谷，tsv？)。L的3D封装，即定量，包含了《S和硅谷》的主人公。S的电影《中国日报》、《中国日报》。L的封装3D EST再加上INTERENSANCENT，cette技术是一种新的技术，它的优势是，而不是 我关心的是测试DES电路。程序利用L的封装2.5D et 3D Qualitéde L的电路集成到S的电路中，尤其是更持久的过程和诊断。CE计划S‘签署了一项关于贸易研究的逻辑。L的变奏曲、L的互调和精确的电路，都是S电路的观察者。S的电路维护人员，L的助手电路S封装了S的常规电路，避免了电路性能的事故。首页--期刊主要分类--期刊细介绍--期刊题录与文摘--期刊详细文摘内容在有效的情况下，我们提供了各种类型的包装。在这张图中，我们可以看到，不同的地方加上L的食品店(2.5D)和S的食品店(3D)。

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes, voire émergentes, d'encapsulation des circuits intégrés, connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D, qui est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux, consiste à empiler des dés de silicium, les uns à côté des autres, sur une couche intermédiaire passive de silicium, au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales (« Through-Silicon Vias, TSV »). L'encapsulation 3D, quant à elle, consiste à empiler des dés de silicium, les uns par-dessus les autres. Dans ce cas, les TSV sont présents dans les dés empilés. Par rapport à l'encapsulation conventionnelle (2D), ces techniques offrent un très grand potentiel en termes de bande passante et performance, et ce pour une faible puissance de dissipation. Si le potentiel de l'encapsulation 3D est encore plus intéressant, cette technique se heurte à davantage de défis, notamment en ce qui concerne le test des circuits. Ce programme vise à investiguer les effets de l'utilisation de l'encapsulation 2.5D et 3D sur la qualité de l'alimentation des circuits intégrés, en particulier durant le processus de test et diagnostic. Ce programme s'inscrit dans la suite logique de travaux récemment entrepris. Ces travaux ont entre autres permis d'observer un phénomène de variations de l'alimentation, variations qui sont induites par l'intermodulation de fréquences d'horloge utilisées et qui sont exacerbées aux fréquences de résonance du réseau d'alimentation des circuits intégrés. Les résultats obtenus jusqu'à maintenant, à l'aide de circuits intégrés encapsulés de manière conventionnelle, montrent que ce phénomène peut avoir des incidences sur la performance de ces circuits. Ce phénomène et ses incidences devraient être amplifiés par les encapsulations 2.5D et 3D. En effet, des boucles de courant supplémentaires peuvent se créer avec ces types d'encapsulation. De plus, des différences plus marquées sont prévues au niveau de l'impédance du réseau d'alimentation pendant le processus d'assemblage et de test, au fur et à mesure que les dés sont empilés les uns à côté des autres (2.5D) ou les uns sur les autres (3D).