Impact des techniques récentes et émergentes d'encapsulation des circuits intégrés sur la qualité de leur alimentation et incidences sur le test et diagnostic

该研究方案研究了各种技术的交换、交换和交换、交换和交换交换、交换和交换交换、交换和交换交换。L'encapsulation 2.5D，在商业上的某些电子电路中，包括硅的电子元件、硅的电子元件、硅的电子元件、硅的电子元件、硅的电子元件、硅的电子元件、硅的电子元件、硅的电子元件和垂直的电子元件。L'encapsulation 3D, quant <s:1> elle，由ememiler des dassis de silium， les -dessus les res组成。在这种情况下，TSV发送的数据与其他的数据是一致的。根据封装惯例（2D），这些技术可以提供巨大的潜力，包括性能方面的性能，性能方面的性能，以及性能方面的性能。单位式封装3D测试可防防变，采用单位式封装技术，具有防变变的优势，值得注意

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes, voire émergentes, d'encapsulation des circuits intégrés, connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D, qui est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux, consiste à empiler des dés de silicium, les uns à côté des autres, sur une couche intermédiaire passive de silicium, au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales (« Through-Silicon Vias, TSV »). L'encapsulation 3D, quant à elle, consiste à empiler des dés de silicium, les uns par-dessus les autres. Dans ce cas, les TSV sont présents dans les dés empilés. Par rapport à l'encapsulation conventionnelle (2D), ces techniques offrent un très grand potentiel en termes de bande passante et performance, et ce pour une faible puissance de dissipation. Si le potentiel de l'encapsulation 3D est encore plus intéressant, cette technique se heurte à davantage de défis, notamment en ce qui concerne le test des circuits. Ce programme vise à investiguer les effets de l'utilisation de l'encapsulation 2.5D et 3D sur la qualité de l'alimentation des circuits intégrés, en particulier durant le processus de test et diagnostic. Ce programme s'inscrit dans la suite logique de travaux récemment entrepris. Ces travaux ont entre autres permis d'observer un phénomène de variations de l'alimentation, variations qui sont induites par l'intermodulation de fréquences d'horloge utilisées et qui sont exacerbées aux fréquences de résonance du réseau d'alimentation des circuits intégrés. Les résultats obtenus jusqu'à maintenant, à l'aide de circuits intégrés encapsulés de manière conventionnelle, montrent que ce phénomène peut avoir des incidences sur la performance de ces circuits. Ce phénomène et ses incidences devraient être amplifiés par les encapsulations 2.5D et 3D. En effet, des boucles de courant supplémentaires peuvent se créer avec ces types d'encapsulation. De plus, des différences plus marquées sont prévues au niveau de l'impédance du réseau d'alimentation pendant le processus d'assemblage et de test, au fur et à mesure que les dés sont empilés les uns à côté des autres (2.5D) ou les uns sur les autres (3D).