Epitaxie auf freitragenden GaN-Substraten

Freitragende GaN衬底von Hoher Kristalliner Güte könnnen MIT einem Speziellen激光剥离-Verfahren经久耐用的分层判断器HVPE-Schichten von Deren Sphirsubten Hersterellt。他说：“这是一个非常重要的问题，因为它是一种特殊的外延材料，不同的GaN衬底、不同的GaN衬底、不同的外延材料以及不同的外延材料。他说：“这是一件很重要的事情，因为它是最好的选择。”平行的大足Sollen grundLegende Erfahrungen MIT der Gan-Homoepetaxie ALS auch MIT der Charakterisierung Homo Peteraktischer Schichten gewonnen en.Langfristiges Ziel des Projektes ist es，das潜在的自由性别者，Kostengünstiger GaN-衬底für die Herstellung potiktronischer and elektronischer leistungsbauelemente zu erforschen。

Freitragende GaN Substrate von hoher kristalliner Güte können mit einem speziellen Laser-lift off-Verfahren durch Delamination dicker HVPE-Schichten von deren Saphirsubstraten hergestellt werden. Dieser Prozeß erlaubt die schnelle Herstellung großflächiger, unverspannter GaN-Substrate, die insbesondere für die Homoepitaxie hervorragend geeignet sind, da nahezu alle Nachteile der gegenwärtig verwendeten Nitrid-Heteroepitaxie-Verfahren vermieden werden können. Ein erstes Ziel dieses Projektes ist es, den lift off-Prozeß und die Nachbehandlung der freitragenden GaN-Schichten weiter zu optimieren. Parallel dazu sollen grundlegende Erfahrungen mit der GaN-Homoepitaxie als auch mit der Charakterisierung homoepitaktischer Schichten gewonnen werden. Langfristiges Ziel des Projektes ist es, das Potential freitragender, kostengünstiger GaN-Substrate für die Herstellung optoelektronischer und elektronischer Leistungsbauelemente zu erforschen.