Electrically pumped antimonide semiconductor laser with semimetal current injection region on GaSb substrate

Mittelinfrarot-Halbleiterlaser（mit Intra- oder Interband-Übergängen，mit räumlich direktem oder indirektem Laserübergang，mit oder ohne Kaskaden）的主要原理是相对较强的非直接再组合，并通过特定的Quantenfilmstruktur-Bandverläufen结果实现Schwierigkeit，通过电泵浦有效地实现了上述激光器，并使其转换为线性。In der Entwicklung von Typ I-Quantenkaskadenlasern（nach Capasso，Faist et al.）z.B.在时间的最高点，由于不稳定的Schichtdicken和Barrierenhöhen的影响，在激光器上的电子器件将产生一个Miniband-Trichter，而在Kaskade的前一个周期，电子布拉格反射器将产生一个闪烁。Kurtz、Biefeld、Allerman实现了（带间激光器）替代半金属激光器注入有源Schichtenfolge;他们的工作是在InAs衬底上工作。在这种情况下，在3 - 4微米的带有半金属注入的砷化镓衬底上，用Kaskade实现了韦尔登激光器。

Mittelinfrarot-Halbleiterlaser (mit Intra- oder Interband-Übergängen, mit räumlich direktem oder indirektem Laserübergang, mit oder ohne Kaskaden) leiden prinzipiell unter relativ starker nicht-strahlender Rekombination und der aus den speziellen Quantenfilmstruktur-Bandverläufen resultierenden Schwierigkeit, das obere Laserniveau durch elektrisches Pumpen effizient zu besetzen, um Besetzungsinversion zu erzielen. In der Entwicklung von Typ I-Quantenkaskadenlasern (nach Capasso, Faist et al.) z.B. haben aufwendige Übergitter mit nicht-konstanten Schichtdicken und Barrierenhöhen etwa die Hälfte der Zeit beansprucht, Übergitter mit denen ein Miniband-Trichter generiert wird, der die Elektronen in das obere Laserniveau leitet, und die gleichzeitig als elektronischer Bragg-Reflektor für die vorhergehende Periode der Kaskade dienen. Kurtz, Biefeld, Allerman realisierten (für Interband-Laser) alternativ erfolgreich einen Semimetall-Übergang als Injektionsbereich für die aktive Schichtenfolge; sie arbeiteten gitterangepasst, allerdings auf dem weniger gebräuchlichen InAs-Substrat. In dem hier beantragten Vorhaben sollen elektrisch gepumpte kantenemittierende Mittelinfrarot-Antimonid-Laser bei 3 - 4 Mikrometer Wellenlänge mit semimetallischem Injektionsbereich auf GaSb-Substrat erst ohne, später mit Kaskade realisiert werden.