Spektral breitbandige Antimonid-Übergitter-Photodetektoren mit Photoleitungsverstärkung

在DFG-Projekt项目中（Fo 157/13）通过对工作组的测试，发现锑化物-超快-pn-光电二极管在GaSb-和InAs-衬底上的光谱特性是很好的，但在高的光辐射温度下，其光谱特性还不是最佳的，在维斯/近红外努尔中使用高感光度的光检测器（auch ohne Vorspannung）erklärt韦尔登können.通过对中红外探测器中InAs（Sb）/Ga（InAs）Sb-超吸收峰及其变化Z. B的测定，可以获得更高的探测效率和更高的光谱均匀性韦尔登。在最后一个人面前。Gleichzeitig soll die Ursache für die hohe Photoleitungsverstärkung ohne Vorspannung geklärt韦尔登，durch schrittweise Veränderung der Zusammensetzung der Quantenfilme（Veränderung ihrer Kopplung）und des Wellenleiterkerns，dessen beiden Teile für die eingebetteten Quantenfilme als Ladungsträger-Barrieren Schulken.该工程解决了韦尔登的外部优化问题。另外一种光电二极管也可以用光电转换器进行韦尔登。所有的结构都是由GaSb和InAs衬底的分子辐射引起的。

In dem abgeschlossenen DFG-Projekt (Fo 157/13) konnte die Arbeitsgruppe wellenleitergestützte, spektral sehr breitbandige Antimonid-Übergitter-pn-Photodioden auf GaSb- und InAs-Substrat realisieren, welche - obwohl noch nicht optimiert - selbst bei Raumtemperatur hohe Photoempfindlichkeiten zeigen, die die stark gekühlter Detektoren anderer Gruppen übertreffen und die im Vis/NIR nur mit hohen Photoleitungsverstärkungen (auch ohne Vorspannung) erklärt werden können. Nun soll die Detektivität im MIR-Bereich noch weiter erhöht und dadurch insgesamt spektral homogenisiert werden, durch Verdickung des MIR-absorbierenden InAs(Sb)/Ga(InAs)Sb-Übergitters und Variation z.B. der Einzelschichtdicken im Übergitter. Gleichzeitig soll die Ursache für die hohe Photoleitungsverstärkung ohne Vorspannung geklärt werden, durch schrittweise Veränderung der Zusammensetzung der Quantenfilme (Veränderung ihrer Kopplung) und des Wellenleiterkerns, dessen beiden Teile für die eingebetteten Quantenfilme als Ladungsträger-Barrieren wirken. Die Erkenntnisse sollen zur weiteren Bauelement-Optimierung genutzt werden. Alternativ zu den Photodioden sollen auch entsprechende Photoleiter betrachtet werden. Alle Strukturen werden auf GaSb- und InAs-Substraten molekularstrahlepitaktisch gewachsen.