In-Situ Processing of Thin Films and Coated Wires of Novel High-Tc Superconductors

新型高温超导体薄膜和涂层线的原位加工

基本信息

  • 批准号:
    8818994
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 22.35万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1989-02-01 至 1993-01-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This work studies the formation of thin films and coatings of several high Tc Superconducting materials in the Y-Ba-Cu-0 base system with Bi, Tl and/or Sr additions. Nanosecond laser evaporation techniques and rapid thermal processing methods will be used to stabilize these non-equilibrium phases. Using these processing methods the number of Cu-O planes may be increased which also increases the superconducting transition temperature Tc. Modeling of the laser evaporation will be performed to understand and control the deposition process and to minimize the total thermal budget during in-situ deposition and subsequent annealing. The epitaxial growth and texturing of thin films to maximize critical current densities wil be investigated in detail.
本工作研究的薄膜和涂层的形成, 几种Y-Ba-Cu-0基高温超导材料 添加Bi、Tl和/或Sr的系统。 纳秒激光 蒸发技术和快速热处理方法将 用于稳定这些非平衡相。 使用这些 加工方法,可以增加Cu-O平面的数量 这也增加了超导转变温度 TC. 将进行激光蒸发的建模, 了解和控制沉积过程,并尽量减少 在原位沉积和后续沉积期间的总热预算 退火 薄膜的外延生长和织构化, 最大化临界电流密度将在 详细

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2019
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    $ 22.35万
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    Standard Grant
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    1826251
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 22.35万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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基于化学势图的半导体薄膜加工——以SnS为模型
  • 批准号:
    17H03436
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 22.35万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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通过电场处理控制氧化物薄膜中的微观结构和界面
  • 批准号:
    1634955
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 22.35万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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  • 批准号:
    1454570
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 22.35万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Development of wide-bandgap oxide epitaxial thin films by multi-wavelength excimer laser processing and substrates modification
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  • 批准号:
    15K20988
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 22.35万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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