Study on latent scratch detection method of mirror surface by pulse laser
脉冲激光镜面潜划痕检测方法研究
基本信息
- 批准号:16K14126
- 负责人:
- 金额:$ 2.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
SiCのレーザスライシング加工における剥離面性状
SiC 激光切片的剥离表面特性
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山田洋平;阿部達毅;浅原浩和;富士和則;明田正俊;池野順一
- 通讯作者:池野順一
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
IKENO Junichi其他文献
Micro-plastic procesing of glass by laser beam
激光束对玻璃进行微塑性加工
- DOI:
- 发表时间:
2004 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Goto Toshihiko;IKENO Junichi - 通讯作者:
IKENO Junichi
Manufacturing of micro-lens by pulse YAG laser beam
脉冲YAG激光束制造微透镜
- DOI:
- 发表时间:
2004 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
SAIJO Yasuharu;IKENO Junichi - 通讯作者:
IKENO Junichi
Laser color marking applied surface plasmonof nano-particle
纳米颗粒表面等离子体激元激光彩色打标
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
KUMAGAI Shinitiro;IKENO Junichi - 通讯作者:
IKENO Junichi
Femt second laser processing of photosensitized glass
Femt二次激光加工光敏玻璃
- DOI:
- 发表时间:
2004 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
WAKABAYASHI Masatugu;IKENO Junichi;ANZAI Masahiro;OMORI Hitoshi;YAMANOUCHI Mikio - 通讯作者:
YAMANOUCHI Mikio
Micro-shaping of glass by laser beam
激光束对玻璃进行微成型
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
HU kyo;WAKABAYASHI Masaki;IKENO Junichi - 通讯作者:
IKENO Junichi
IKENO Junichi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('IKENO Junichi', 18)}}的其他基金
A study on the insulation effect expression of an organic transparent conductive film by the ultra-short pulse laser
超短脉冲激光有机透明导电薄膜绝缘效应表达研究
- 批准号:
25630015 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Study on an Intelligent laser slicing method of both hard and brittle materials
硬脆材料智能激光切片方法研究
- 批准号:
23656095 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
A new laser micro-machining to add a glass high value
新型激光微加工为玻璃增添高附加值
- 批准号:
21360058 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on New three dimensional laser micro machiing for manufacturing of aspheric lens
新型三维激光微加工非球面透镜制造研究
- 批准号:
14350066 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on a new three-dimensional laser micro-processing method using the difference in the permeation characteristic
利用渗透特性差异的三维激光微加工新方法研究
- 批准号:
11450055 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
New Assembly Technique of Three Dimensional Micro-structure by YAG Laser Beam
YAG激光束三维微结构组装新技术
- 批准号:
08555035 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on a micro-maching appoying the lasertrapping of fine abrasives.
激光捕获细磨料的微加工研究
- 批准号:
06555033 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
相似国自然基金
近零膨胀Cf/SiC–Si3N4复合材料的构筑与强韧化
- 批准号:52372095
- 批准年份:2023
- 资助金额:50 万元
- 项目类别:面上项目
一次烧结法制备Ti/SiC梯度材料中Mg2Si的同步致密化作用机理研究
- 批准号:52304394
- 批准年份:2023
- 资助金额:30.00 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
高压原位自生SiC/Al-Si基复合材料组织演变及强化机制研究
- 批准号:2023J01346
- 批准年份:2023
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
SiC/SiC核包壳Y-Al-Si-O玻璃-陶瓷封接及其环境腐蚀和辐照损伤机理
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
球形燃料元件基体石墨表面SiC/ZrC-Si/ZrSiO4梯度涂层的可控制备及抗氧化机理研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
舰船用SiC&Si混合高频隔离型中频电源的优化设计及相关技术研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
超层状Si3N4-SiC/BN仿生陶瓷多尺度结构-力学/吸波性能的构效关系
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
从Si-C-O到SiC:SiC纤维晶化过程及结构演变研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
仿贝壳“砖-泥”结构ZrB2-SiC@Y3Si2C2陶瓷的强韧化机制与抗烧蚀机理
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
三元层状Y3Si2C2改性SiCf/SiC复合材料的微结构调控及高温水氧腐蚀行为
- 批准号:
- 批准年份:2021
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
SiC半導体中のSi空孔製作用の異種イオン混合サブミクロンビーム形成技術の開発
开发用于在 SiC 半导体中制造 Si 空位的混合离子亚微米束形成技术
- 批准号:
20H02673 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Increasing the thickness and quality of 3C-SiC grown on Si wafers to enable 1200V devices
提高硅晶圆上生长的 3C-SiC 的厚度和质量,以实现 1200V 器件
- 批准号:
102886 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Collaborative R&D
A high performance Si&SiC based hybrid asymmetrical multilevel cascaded H-bridge converter and its advanced control
高性能硅
- 批准号:
280610965 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Research Grants
TiSi2/Si合金をマトリクスとするSiC繊維強化複合材料の創出
以TiSi2/Si合金为基体的SiC纤维增强复合材料的研制
- 批准号:
15K06476 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Silicon-Silicon Carbide (Si/SiC) Power Devices for high temperature, hostile environment applications
适用于高温、恶劣环境应用的硅-碳化硅 (Si/SiC) 功率器件
- 批准号:
EP/N00647X/1 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Research Grant
To demonstrate the feasibility of producing low cost, high intensity LEDs using Anvil’s stress relief IP to grow high quality GaN on 3C-SiC on large diameter Si substrates.
演示使用 Anvil 的应力消除 IP 在大直径 Si 基板上生长高质量 3C-SiC 上的 GaN 来生产低成本、高强度 LED 的可行性。
- 批准号:
131706 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Feasibility Studies
Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms
表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长
- 批准号:
24656101 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Three-dimensional analysis of atomic arrangements in cubic SiC/Si interfaces by aberration-corrected TEM and ab initio calculations
通过像差校正 TEM 和从头算计算对立方 SiC/Si 界面中的原子排列进行三维分析
- 批准号:
23760030 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜
- 批准号:
21560334 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
水素プラズマを用いたSiC結晶の低温成長におけるSi基板のピラミッド処理効果
氢等离子体低温生长SiC晶体时金字塔处理对Si衬底的影响
- 批准号:
16656097 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research