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A STUDY OF TUNNEL ELECTRON INJECTION LIGHT-EMITTING DEVICES WITH A TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE OF ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE
超薄硅/二氧化硅二维量子结构隧道电子注入发光器件的研究
基本信息
- 批准号：26630130
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Photoetching method that provides improved silicon-on-insulator layer thickness uniformity in a defined area
光刻方法可在规定区域内改善绝缘体上硅层厚度的均匀性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Yuki Miyata;Yasunori Nakamukai;Cassia Tiemi Azevedo;Miho Morita;Junichi Uchikoshi;Kentaro Kawai;Kenta Arima;Mizuho Morita
- 通讯作者：Mizuho Morita
光エッチングによる均一層厚を有する極薄SOIの形成
光刻法形成层厚均匀的超薄SOI
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮田 優希;中向 保徳;Cassia Tiemi Azevedo;押鐘 寧;川合 健太郎;有馬 健太;森田 瑞穂
- 通讯作者：森田 瑞穂
Electroluminescence in metal-oxide-semiconductor tunnel diodes with a crystalline silicon/silicon dioxide quantum well
具有晶体硅/二氧化硅量子阱的金属氧化物半导体隧道二极管的电致发光
- DOI：10.1016/j.micrna.2022.207228
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：Yuki Miyata;Yasunori Nakamukai;Cassia Tiemi Azevedo;Ayano Tsuchida;Miho Morita;Yasushi Oshikane;Junichi Uchikoshi;Kentaro Kawai;Kenta Arima;Mizuho Morita
- 通讯作者：Mizuho Morita
Photoluminescence in Si/SO2 Single Quantum Wells
Si/SO2 单量子阱中的光致发光
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Cassia Azevedo;Yuki Miyata;Yasunori Nakamukai;Yasushi Oshikane;Kentaro Kawai;Kenta Arima;Mizuho Morita
- 通讯作者：Mizuho Morita
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FORMATION OF THREE-DIMENSIONAL SHAPES IN SEMICONDUCTOR SURFACES FOR FUNCTIONAL DEVICES THROUGH PHOTOCHEMICAL REACTION WITH ELECTROPHILIC FLUORINATION AGENTS
通过与亲电氟化剂的光化学反应在功能器件的半导体表面形成三维形状
- 批准号：
26289017 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A STUDY OF LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE
超薄硅/二氧化硅二维量子结构发光器件的研究
- 批准号：
23656217 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
A STUDY ON ELECTRIC CHARGE/LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS WITH METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR ARRAYS
金属/微间隙/半导体阵列生物材料电荷/液位表征装置的研究
- 批准号：
22360125 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A STUDY ON ENERGY LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS BY ELECTRON RESPONSE OF METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR STRUCTURES
金属/微间隙/半导体结构电子响应生物材料能级表征装置的研究
- 批准号：
18360148 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A STUDY ON TUNNELING-SPECTROSCOPIC DEVICES WITH NANO-GAP STRUCTURE USING ULTRATHIN SILICON DIOXIDE FILM AS A SPACER
超薄二氧化硅薄膜作为间隔物的纳米间隙结构隧道分光器件的研究
- 批准号：
14350166 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A STUDY ON REACTION MECHANISM CONTROL UNDER LIGHT IRRADIATION IN ULTRACLEAN CLEANING OR HEATING PROCESSES OF SILICON SURFACES
硅表面超净清洗或加热过程中光照射反应机理控制研究
- 批准号：
13555007 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A STUDY ON REACTION CONTROL BETWEEN SILICON SURFACES AND OXYGEN-FREE WATER/WATER-FREE OXYGEN IN COMPLETELY CLOSED SYSTEMS
全封闭系统中硅表面与无氧水/无水氧反应控制的研究
- 批准号：
10555009 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
A STUDY ON SOI QUANTUM DEVICES WITH VARIABLE FUNCTION BY RESONANT/NON-RESONANT CONTROL IN VERTICAL RESONANT TUNNELING STRUCTURES
垂直谐振隧道结构中谐振/非谐振控制的可变功能SOI量子器件研究
- 批准号：
10450123 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
A STUDY OF ANALYSIS AND CONTROL OF SEMICONDUCTOR SURFACE REACTION BY SURFACE CARRIER CONDUCTION MODULATION
表面载流子传导调制半导体表面反应分析与控制研究
- 批准号：
04452166 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
A Development of Low-Temperature Silicon Oxidation Enhanced by Fluorine Catalysis
氟催化低温氧化硅的研究进展
- 批准号：
60850061 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
相似海外基金
高精度に制御された極薄シリコン酸化膜を利用した特性バラツキ抑制技術の研究開発
利用高精度控制的超薄氧化硅膜抑制特性变化技术的研究与开发
- 批准号：
20035002 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
極薄シリコン酸化膜の原子的レベルの膜厚高均一・高均質化技術の研究開発
原子级超薄氧化硅膜厚均匀化及均质化技术研发
- 批准号：
19026002 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析
利用截面光电子能谱深度分析非晶硅氧化物薄膜的成分和键态密度
- 批准号：
13025243 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
屈折率を広範囲制御可能なシリコン酸化膜を用いた新しい光波長フィルタの研究
新型大范围折射率可控氧化硅薄膜光学波长滤波器的研究
- 批准号：
13750299 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
仮想多層膜形成条件熱酸化による高機能極薄シリコン酸化膜の研究
利用热氧化和虚拟多层膜形成条件研究高性能超薄氧化硅薄膜
- 批准号：
13025230 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
大気圧非平衡プラズマを用いた化学反応による高品質シリコン酸化膜の気相合成
利用常压非平衡等离子体通过化学反应气相合成高质量氧化硅薄膜
- 批准号：
12750173 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シリコン/シリコン酸化膜系ダブルバリヤ構造を用いた共鳴トンネル分光法の研究
硅/氧化硅双势垒结构共振隧道光谱研究
- 批准号：
10875007 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
フッ化炭素直接添加によるシリコン酸化膜の極低誘電率化
直接添加碳氟化合物获得极低介电常数的氧化硅薄膜
- 批准号：
09750355 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
非平衡プラズマ状態下での有機シリコン源と酸素によるシリコン酸化膜の化学的気相合成
非平衡等离子体条件下有机硅源和氧化学气相合成氧化硅薄膜
- 批准号：
09750241 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
無声放電を用いた非平衡プラズマによる珪酸エチルと酸素からのシリコン酸化膜合成
使用非平衡等离子体无声放电由硅酸乙酯和氧气合成氧化硅薄膜
- 批准号：
08750251 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)