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A STUDY OF LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE

A STUDY OF LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE
超薄硅/二氧化硅二维量子结构发光器件的研究
批准号：
23656217
负责人：
MORITA Mizuho
金额：
$2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656217/
关键词：
シリコンシリコン酸化膜発光デバイス量子井戸トンネル現象

项目摘要

项目成果

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An electroluminescence peak at energies higher than the band gap of bulk silicon has been observed in metal-oxide-semiconductor tunnel devices with an ultrathin silicon layer. This indicates that the peak is due to subband -mediated transitions and due to trap-mediated transitions. It has been found that the external quantum efficiency increases with the decrease of the silicon layer thickness. This suggests that ultrathin silicon layers have quasi-direct band gap.
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会议论文
Electroluminescence in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes with an Ultrathin Silicon Layer
具有超薄硅层的金属氧化物半导体隧道二极管中的电致发光
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Tsuchida, K. Matsumura, R. Yamada, Y. Oshikane, K. Kawai, J. Uchikoshi, K. Arima and M. Morita]
通讯作者： K. Arima and M. Morita
Electroluminescence in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes with Nanometer-Thick Silicon
纳米厚硅金属氧化物半导体隧道二极管的电致发光
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Mizuho Morita, Ayano Tsuchida, Kei Matsumura, Ryuta Yamada, Yasushi Oshikane, Kentaro Kawai, Junichi Uchikoshi, and Kenta Arima]
通讯作者： and Kenta Arima
Electroluminescence in Ultrathin Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes
超薄绝缘体上硅金属氧化物半导体隧道二极管的电致发光
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Tsuchida, K. Matsumura, R. Yamada, Y. Oshikane, K. Kawai, J. Uchikoshi, K. Arima and M. Morita]
通讯作者： K. Arima and M. Morita
A STUDY OF TUNNEL ELECTRON INJECTION LIGHT-EMITTING DEVICES WITH A TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE OF ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE
  • 批准号：
    26630130
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    MORITA Mizuho
  • 依托单位：
    Osaka University
FORMATION OF THREE-DIMENSIONAL SHAPES IN SEMICONDUCTOR SURFACES FOR FUNCTIONAL DEVICES THROUGH PHOTOCHEMICAL REACTION WITH ELECTROPHILIC FLUORINATION AGENTS
  • 批准号：
    26289017
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.57万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    MORITA Mizuho
  • 依托单位：
    Osaka University
A STUDY ON ELECTRIC CHARGE/LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS WITH METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR ARRAYS
  • 批准号：
    22360125
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.81万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    MORITA Mizuho
  • 依托单位：
    Osaka University
A STUDY ON ENERGY LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS BY ELECTRON RESPONSE OF METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR STRUCTURES
  • 批准号：
    18360148
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.2万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    MORITA Mizuho
  • 依托单位：
    Osaka University
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