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A STUDY ON ENERGY LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS BY ELECTRON RESPONSE OF METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR STRUCTURES

A STUDY ON ENERGY LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS BY ELECTRON RESPONSE OF METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR STRUCTURES
金属/微间隙/半导体结构电子响应生物材料能级表征装置的研究
批准号：
18360148
负责人：
MORITA Mizuho
金额：
$11.2万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360148/
关键词：
シリコンシリコン酸化膜微小空隙電子応答センシングデバイス

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The sensing of deoxyribonucleic acid solutions by capacitance-voltage measurements of a metal/micro-gap/semiconductor structure device has been demonstrated. The different concentrations of deoxyribonucleic acid solutions have been characterized from the change of the capacitance-voltage curve for the sensing device. A metal/insulator/gap/insulator/semiconductor structure device was sensitive to the ion concentration of the solution and had high sensitivity. It has been suggested that the change of capacitance-voltage characteristics reflects the change of the charge on the sensing silicon dioxide surface.
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会议论文
Metal-Gap-Semiconductor Sensing Devices for DNA Solutions
用于 DNA 解决方案的金属间隙半导体传感器件
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： Abstracts, 210th Meeting of The Electrochemical Society
影响因子： --
作者： [Takaaki Hirokane, Hideaki Hashimoto, Daisuke Kanzaki, Shinichi Urabe, Mizuho Morita]
通讯作者： Mizuho Morita
Sensing of DNA solution with Metal-Gap-Insulator-Semiconductor Device
使用金属间隙绝缘体半导体器件感测 DNA 溶液
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Takaaki Hirokane, Daisuke Kanzaki, Hideaki Hashimoto, Shinichi Urabe Kenta Arima, Junichi Uchikoshi, Mizuho Morita]
通讯作者： Mizuho Morita
Sensing ofλDNA solutions by metal-gap-semiconductor devices
通过金属间隙半导体器件感测λDNA溶液
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Surface and Interface Analysis 40(Peer-reviewed.)
影响因子： --
作者： [Takaaki Hirokane, Daisuke Kanzaki, Hideaki Hashimoto, Shinichi Urabe, Kenta Arima, Junichi Uchikoshi, Mizuho Morita]
通讯作者： Mizuho Morita
Characterization of Tunneling Current through Ultrathin Silicon Dioxide Films by Different-Metal Gates Method
不同金属栅极法表征穿过超薄二氧化硅薄膜的隧道电流
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Japanese Journal of Applied Physics 47
影响因子： --
作者： [Takaaki HIROKANE, Naoto YOSHII, Tatsuya OKAZAKI, Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA, Kenta ARIMA, Junichi UCHIKOSHI, Mizuho MORITA]
通讯作者： Mizuho MORITA
共 31 条
    A STUDY OF TUNNEL ELECTRON INJECTION LIGHT-EMITTING DEVICES WITH A TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE OF ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE
    • 批准号：
      26630130
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      MORITA Mizuho
    • 依托单位：
      Osaka University
    FORMATION OF THREE-DIMENSIONAL SHAPES IN SEMICONDUCTOR SURFACES FOR FUNCTIONAL DEVICES THROUGH PHOTOCHEMICAL REACTION WITH ELECTROPHILIC FLUORINATION AGENTS
    • 批准号：
      26289017
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      MORITA Mizuho
    • 依托单位：
      Osaka University
    A STUDY OF LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN ULTRATHIN SILICON/SILICON DIOXIDE TWO-DIMENSIONAL QUANTUM STRUCTURE
    • 批准号：
      23656217
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      MORITA Mizuho
    • 依托单位：
      Osaka University
    A STUDY ON ELECTRIC CHARGE/LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS WITH METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR ARRAYS
    • 批准号：
      22360125
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      MORITA Mizuho
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金