A STUDY ON ELECTRIC CHARGE/LEVEL CHARACTERIZATION DEVICES FOR BIOLOGICAL MATERIALS WITH METAL/MICRO-GAP/SEMICONDUCTOR ARRAYS

金属/微间隙/半导体阵列生物材料电荷/液位表征装置的研究

基本信息

  • 批准号:
    22360125
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.81万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The electrical sensing of deoxyribonucleic acid hybridization by capacitance-voltage measurements of metal/micro-gap/insulator/semiconductor structure devices has been demonstrated. The hybridization of deoxyribonucleic acid has been characterized from the shift of the capacitance-voltage curve for the sensing device. It has been demonstrated that a metal/micro-gap/insulator/semiconductor structure device can distinguish between deoxyribonucleic acid hybridization and un-hybridization. The electrical sensing operation of pure water by capacitance-voltage measurements of a metal/micro-gap/insulator/semiconductor array has been demonstrated.
通过测量金属/微间隙/绝缘体/半导体结构器件的电容-电压,实现了脱氧核糖核酸杂交的电学传感。脱氧核糖核酸的杂交已经从传感装置的电容-电压曲线的移动来表征。已经证明,金属/微间隙/绝缘体/半导体结构器件可以区分脱氧核糖核酸杂交和非杂交。通过金属/微间隙/绝缘体/半导体阵列的电容-电压测量,已经证明了纯水的电传感操作。

项目成果

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专利数量(0)
Non-FET electrochemical DNA detection using metal-gap-oxide-silicon structures
使用金属间隙氧化物硅结构的非 FET 电化学 DNA 检测
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kentaro Kawai;Yuichi Doi;Takashi Furukawa;Junichi Uchikoshi;Kenta Arima;and Mizuho Morita
  • 通讯作者:
    and Mizuho Morita
Sensing of DNA Solution by Silicon-Oxide-Gap-Oxide-Silicon Structure
通过二氧化硅-间隙-氧化物-硅结构传感 DNA 溶液
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Taiji Kamiya;Ryuta Yamada;Junichi Uchikoshi;Kenta Arima and Mizuho Morita
  • 通讯作者:
    Kenta Arima and Mizuho Morita
Efficient and Scalable Liquid Handling in Micro/Nano-fluidic System for biomedical applications
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kentaro Kawai;Junichi Uchikoshi;Kenta Arima;and Mizuho Morita
  • 通讯作者:
    and Mizuho Morita
Electrical Characteristics of Metal-Gap-Oxide-Silicon Structures
金属-间隙-氧化物-硅结构的电学特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yuichi Doi;Takashi Furukawa;Kentaro Kawai;Junichi Uchikoshi;Kenta Arima and Mizuho Morita
  • 通讯作者:
    Kenta Arima and Mizuho Morita
Electrical Characteristics of Metal-Gap-Silicon and Metal-Gap-Oxide-Silicon Structures
金属-间隙-硅和金属-间隙-氧化物-硅结构的电学特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takashi Furukawa;Yuuichi Doi;Kentaro Kawai;Junichi Uchikoshi;Kenta Arima and Mizuho Morita
  • 通讯作者:
    Kenta Arima and Mizuho Morita
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    $ 11.81万
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    60850061
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 11.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research

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    10875007
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    09750241
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 11.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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知道了