飛行時間型電子刺激脱離共鳴多光子イオン化法によるエピタキシ-素過程の研究
飞行时间电子受激解吸共振多光子电离法研究外延基元过程
基本信息
- 批准号:07454146
- 负责人:
- 金额:$ 4.61万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
- 财政年份:1995
- 资助国家:日本
- 起止时间:1995 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究の目的は、電子線励起により固体表面から脱離する中性化学種を共鳴多光子イオン化法で選択的にイオン化し、飛行時間および脱離方位を独立に決定することによって、脱離種の角度分布と並進エネルギー分布を測定し、表面吸着種の配向状態・量子状態・分子間相互作用などを決定することによって、光励起選択エピタキシ-反応過程を原子・分子レベルで解明することにある。本年度われわれは脱離イオン種の角度分布と飛行時間を同時に測定できるESDIAD/TOF装置を開発した。本ESDIAD/TOF装置は半球型の4枚グリッドとマイクロチャネルプレートからなる検出系と偏向によるチョッピングでパルス化が可能な電子銃からなる。連続電子ビームによるESDIAD観察モードの他にパルス電子を用いたESDIAD観察と脱離イオンのTOF測定が行える。パルス電子(パルス幅100ns以上で可変)によるESDIAD観察は、脱離イオンの飛行に影響を与えないようパルスに同期した断続的通電加熱によって、試料表面で起きる反応を20msの時間分解能で観察できる。これにより、反応中の吸着分子の配向変化、反応中間体を検出できる。TOF測定は100nsの幅のパルス電子を入射し10msの時間分解能で脱離イオンをパルスカウンティングする。1KH_2〜10KH_2でパルス電子を入射して、積算することにより0.1〜1s単位の変化を追跡することができる。TOF測定により、脱離種の同定と並進エネルギー分布の測定が可能となる。装置製作と並行して、Cu(110)表面上の吸着酸素をHREELS、TPDを用いて調べ、再構成していない銅表面に吸着した酸素原子が酸化反応に活性であることを明らかにした。反応活性が高い吸着直後の酸素原子と、再構成した表面にとりこまれた不活性な酸素原子をESDIAD/TOFで比較して、酸素の結合状態の反応性の相関を明らかにする予定である。
The purpose of this study is to detach neutral chemical species from the solid surface by electron beam excitation, and to use resonance multi-photon conversion method. Selected にイオンし, flight time および detachment direction を independent にdetermination することによって, angular distribution of escaping species Measurement of the distribution of エネルギー and determination of the alignment state, quantum state, and intermolecular interaction of surface adsorption speciesすることによって, 光力开选択エピタキシ-reaction process をatomic and molecule レベルで Explain することにある. This year, the ESDIAD/TOF device was used to measure the angle distribution and time-of-flight of the イオン species at the same time. This ESDIAD/TOF device is a hemispherical 4-piece hemispherical device. The によるチョッピングでパルス化が may be the electronic gunからなる. It is used for ESDIAD electronic measurement and TOF measurement.パルス Electronics (The パルス width is 100ns or more, it is not possible) によるESDIAD Observation は, out of the influence of イオンの飞にを and えないThe time decomposition of the electric heating system and the sample surface reaction time of 20ms can be observed in the same period of time.これにより, のalignment change of adsorbed molecules in reaction, reaction intermediate を検出できる. TOF measurement is based on the time resolution of 100ns electron input and 10ms time resolution. 1KH_2~10KH_2でパルスelectronをincidentして、accumulationすることにより0.1~1s単bitの変化をtrackingすることができる. It is possible to measure the TOF measurement, and it is possible to measure the distribution of the separated species and the simultaneous determination of the species. The device was fabricated in parallel, and the acid adsorbed on the Cu (110) surface was used for HREELS and TPD. , the reconstructed copper surface absorbs acid atoms and acidifies and reacts with active materials. The reaction activity is high, and the acid atoms behind the adsorbed and reconstructed surfaces are inactive acid atoms. The comparison of SDIAD/TOF and the correlation of the binding state and reactivity of the acid element are predetermined.
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Yoshitaka Yamaguchi: "Catalytic Decomposition Reaction of Formic Acid on an Ar^+-Bombarded TiO_2(110) Surface:Steady-State Kinetics and Microscopic Surface Structure" Journal of the Chemical Society Faraday Transaction. 91. 1663-1668 (1995)
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- 期刊:
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- 作者:
- 通讯作者:
Tsuyoshi Sueyoshi: "Catalytic CO Oxidation on Unreconstructed Cu(110) Observed at Low Temperatures" Chemical Physics Letters. 241. 189-194 (1995)
Tsuyoshi Sueyoshi:“在低温下观察到的未重构 Cu(110) 的催化 CO 氧化”化学物理快报。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Hiroshi Onishi: "Atomic-Scale Surface Structures of TiO_2(110) Determined by Scanning Tunneling Microscopy:A New Surface-Limited Phase of Titanium Oxide" Bulletin of the Chemical Society of Japan. 68. 2447-2458 (1995)
Hiroshi Onishi:“通过扫描隧道显微镜测定的 TiO_2(110) 的原子级表面结构:氧化钛的新表面限制相”日本化学会会刊。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Ken-ichi Fukui: "Adsorption and Thermal or Photodecomposition of Triethylgallium and Trimethylgallium on Si(111)-7 x 7" Japanese Journal of Applied Physics. 34. 4910-4916 (1995)
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Hiroshi Onishi: "Time-Resolved Scanning Tunneling Microscope Observation at 800 K for Additional Structures Growing on a TiO_2(110) Surface in a O_2 Ambient" Physical Review Letters. 76. 791-794 (1996)
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