強誘電体セラミックス絶縁層を用いた機能性エレクトロルミネッセンス素子の開発

使用铁电陶瓷绝缘层开发功能性电致发光器件

基本信息

  • 批准号:
    01550026
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.本研究の目的は、発光と同時に音を発したり、あるいは電気的な入力信号に対し、光出力信号を出すメモリ機能を有する機能性エレクトロルミネッセント(EL)素子を提案し、その実現を図ることである。初年度である本年度は、BaTiO_3セラミックスの圧電性あるいはヒステリシス特性を制御することにより上記機能を示す最適セラミックス作製条件を決定すると共に、先ずZnS:Mn発光層を持つEL素子を試作し、その素子の発光および発音特性さらには経時特性を調べ、高性能発音形EL素子の実現をめざして研究を進めてきた。しかし、本年9月1日より本研究課題の研究代表者である南戸秀仁が海外留学することになり、研究代表者としての責務を果たすことができなくなったため、本研究課題に対する研究補助を辞退することとなった。それ故、現在までに本研究において得られている成果を以下に列挙する。1)Mnの有機材料であるTCMおよびBCPMをソ-ス材料として使用することにより、MOCVD法によるMnド-プZnS薄膜の作成技術を確立した。2)BaTiO_3セラミックスの分極処理を実施することにより、高い誘電率と適当な誘電損失を有し、発音特性に優れたBaTiO_3セラミックスの作成法を確立した。3)発音形EL素子の特性評価の結果を2)に対してフィ-ドバックしながら素子作製を進めると共に、この素子の経時安定性を大気中、室温下で調べた。また、発音形EL素子のスピ-カ-への応用として、一枚の振動板に4個程度の発音形EL素子を配置した場合、音圧レベル90[dB]以上の実用的な発音特性と、最高発光輝度8000[cd/m^2]の平面発光形スピ-カ-を実現できた。以上の成果は第9回IDRC(京都)で発表した。
1. The purpose of this research is to propose and implement functional electronic equipment (EL) elements that can transmit light and sound at the same time, respond to electrical input signals, and output optical output signals. This year, BaTiO_3 has made progress in the study of the development of high-performance EL elements, including the testing of ZnS:Mn light-emitting layers, the adjustment of their light-emitting and sound-emitting characteristics, and the determination of optimum operating conditions for BaTiO_3 light-emitting layers. On September 1, 2010, the research representative of the project was dismissed. The results of this study are listed below. 1)Mn organic materials such as TCM and BCPM are used to prepare Mn-ZnS thin films by MOCVD. 2) The polarization treatment of BaTiO_3 particles is carried out, and the method of making BaTiO_3 particles is established. 3) Evaluation results of the characteristics of the emission EL element 2) Improvement of the operation of the EL element and its stability under high temperature and room temperature. The sound emission characteristics for practical use with a sound voltage of 90[dB] or more and a planar light emission with a maximum luminance of 8000[cd/m^2] are realized when four levels of sound emission EL elements are arranged on a vibrating plate. The above results are the ninth IDRC(Kyoto) report.

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Mivata,T.Minami,K.Kitamura,Y.Kusano,S.Takata and H.Nanto: "A High Luminance Display Using Insulating Ceramic-type TFEL Devices Driven by Commercial Frequncy Voltade" Proceedings of the 9th International Display Reseach Conference. 82-85 (1989)
T.Mivata、T.Minami、K.Kitamura、Y.Kusano、S.Takata 和 H.Nanto:“采用商用频率电压驱动的绝缘陶瓷型 TFEL 器件的高亮度显示器”第九届国际显示研究会议论文集
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

南戸 秀仁其他文献

MEMS/NEMSの最先端技術と応用・市場展開
前沿MEMS/NEMS技术、应用和市场开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Nanto;Y.Kitade;Y.Sekikawa;Y.Takei;E.Kusano;A.Kinbara;南戸 秀仁;南戸秀仁(分担執筆)
  • 通讯作者:
    南戸秀仁(分担執筆)
Ce3+添加B2O3-Al2O3-NaOガラスのOSL特性
Ce3+掺杂B2O3-Al2O3-NaO玻璃的OSL性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡田 豪;平澤 一樹;柳田 健之;Kasap Safa;南戸 秀仁
  • 通讯作者:
    南戸 秀仁
冬季雷における高エネルギー現象の観測プロジェクトの進展
冬季闪电高能现象观测工程进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    和田 有希;榎戸 輝揚;松元 崇弘;中澤 知洋;古田 禄大;湯浅 孝行;土屋 晴文;米徳 大輔;澤野 達哉;牧島 一夫;鴨川 仁;中村 佳敬;森本 健志;佐藤 光輝;酒井 英男;南戸 秀仁;牛尾 知雄
  • 通讯作者:
    牛尾 知雄
「銀活性リン酸塩ガラス線量計におけるLET依存性の調査」
“银激活磷酸盐玻璃剂量计中 LET 依赖性的研究”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡田 豪;越水 正典;川本 弘樹;小口 靖弘;古場 裕介;平澤 一樹;柳田 健之;南戸 秀仁
  • 通讯作者:
    南戸 秀仁
安全と安心のためのセンサ技術
确保安全和安保的传感器技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Nanto;Y.Kitade;Y.Sekikawa;Y.Takei;E.Kusano;A.Kinbara;南戸 秀仁;南戸秀仁(分担執筆);南戸秀仁(分担執筆)
  • 通讯作者:
    南戸秀仁(分担執筆)

南戸 秀仁的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('南戸 秀仁', 18)}}的其他基金

最先端RPL材料を用いた粒子線がん治療のための次世代リアルタイム線量計の開発
使用尖端 RPL 材料开发用于粒子束癌症治疗的下一代实时剂量计
  • 批准号:
    23K23277
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of next-generation real-time dosimeters for particle beam cancer therapy using advanced RPL materials
使用先进的 RPL 材料开发用于粒子束癌症治疗的下一代实时剂量计
  • 批准号:
    22H02009
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
表面プラズモン共鳴現象を用いたエレクトロニックノーズシステムの機能設計と構築
利用表面等离子体共振现象的电子鼻系统的功能设计与构建
  • 批准号:
    16656031
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
金属/誘電体薄膜界面の表面プラズモン共鳴現象の感性化学センサへの応用
金属/介电薄膜界面表面等离子体共振现象在敏感化学传感器中的应用
  • 批准号:
    10875018
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
光刺激ルミネッセンス現象を利用した多機能光メモリ素子の研究
利用光激发光现象的多功能光存储器件的研究
  • 批准号:
    08875014
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
輝尽発光現象を利用した電子やイオンの二次元センサの開発とトンネル物性への応用
利用受激发光现象开发电子和离子二维传感器及其在隧道特性中的应用
  • 批准号:
    07225220
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
輝尽発光現象を利用した電子やイオンの二次元センサの開発とそのトンネル物性への応用
利用受激发光现象开发电子和离子二维传感器及其在隧道特性中的应用
  • 批准号:
    06236101
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
輝尽発光現象を利用した電子やイオンの二次元センサの開発とそのトンネル物性への応用
利用受激发光现象开发电子和离子二维传感器及其在隧道特性中的应用
  • 批准号:
    05245214
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
セラミックス形エレクトロルミネッセンス
陶瓷型电致发光
  • 批准号:
    61550024
  • 财政年份:
    1986
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
光刺激エキソ電子放出現象を利用した高感度放射線イメージフィルムの開発
利用光激外电子发射现象开发高灵敏度辐射成像胶片
  • 批准号:
    58880024
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research

相似国自然基金

面向高性能集成电路的晶圆级单晶二维半导体的MOCVD精准生长及智能优化
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
MOCVD法制备用于微光夜视技术的GaSb红外光阴极及其激活技术研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    55 万元
  • 项目类别:
    面上项目
宽带宽InAs量子点MOCVD生长调控机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
高品质硅基立式InAs/GaSb异质结纳米线阵列MOCVD自催化生长研究
  • 批准号:
    61904074
  • 批准年份:
    2019
  • 资助金额:
    26.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
高效率MOCVD制备高温超导膜研究
  • 批准号:
    51872040
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    60.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
InAsP/InAsSb超晶格红外探测材料的MOCVD生长与特性研究
  • 批准号:
    61804161
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
氮化镓基分布反馈激光器光栅MOCVD二次外延研究
  • 批准号:
    61804140
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    23.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
MOCVD生长晶圆尺寸二维材料范德华异质结及其光电性能研究
  • 批准号:
    51772145
  • 批准年份:
    2017
  • 资助金额:
    60.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
高迁移率MOCVD微晶氧化铟薄膜晶体管及可靠性研究
  • 批准号:
    61774172
  • 批准年份:
    2017
  • 资助金额:
    63.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于MOCVD技术的自组装绿光InGaN量子点发光机理研究
  • 批准号:
    61604026
  • 批准年份:
    2016
  • 资助金额:
    21.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

MRI: Development of A New High Temperature Source Metalorganic Chemical Vapor Deposition System (HTS-MOCVD) for Next Generation IIIA/B-Nitrides
MRI:开发用于下一代 IIIA/B 氮化物的新型高温源金属有机化学气相沉积系统 (HTS-MOCVD)
  • 批准号:
    2216107
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Non-Conventional Etching and MOCVD Regrowth for Beta-GaO/AlGaO 3D HEMTs
合作研究:Beta-GaO/AlGaO 3D HEMT 的非常规蚀刻和 MOCVD 再生长
  • 批准号:
    2200651
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Oxide and chalcogenide MOCVD (metal-organic chemical vapour deposition)
氧化物和硫族化物 MOCVD(金属有机化学气相沉积)
  • 批准号:
    EP/T019085/1
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Research Grant
Selective Area Growth of Semiconductor Structures by MOCVD for Telecommunication Applications
用于电信应用的 MOCVD 半导体结构的选择性区域生长
  • 批准号:
    543559-2019
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Engage Grants Program
Collaborative Research: Non-Conventional Etching and MOCVD Regrowth for Beta-GaO/AlGaO 3D HEMTs
合作研究:Beta-GaO/AlGaO 3D HEMT 的非常规蚀刻和 MOCVD 再生长
  • 批准号:
    1809946
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Non-Conventional Etching and MOCVD Regrowth for Beta-GaO/AlGaO 3D HEMTs
合作研究:Beta-GaO/AlGaO 3D HEMT 的非常规蚀刻和 MOCVD 再生长
  • 批准号:
    1810041
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Fabrication of transition metal dichalcogenide single crystal by MOCVD and investigation on its electronic structure
MOCVD制备过渡金属硫族化物单晶及其电子结构研究
  • 批准号:
    18J22879
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of MOCVD growth technique for transition metal dichalcogenides and exploring their photonic functionalities
过渡金属二硫属化物MOCVD生长技术的发展及其光子功能的探索
  • 批准号:
    17H03241
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
EAGER: MOCVD Growth of beta-(Al,In,Ga)2O3 for Transistor Applications
EAGER:用于晶体管应用的 β-(Al,In,Ga)2O3 的 MOCVD 生长
  • 批准号:
    1748339
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Epitaxial MOCVD deposition of thermoelectric material films and determination of thermoelectric properties including thermal conductivity
热电材料薄膜的外延 MOCVD 沉积以及热电性能(包括热导率)的测定
  • 批准号:
    281725611
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 0.64万
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了