Chemische Gasphasenabscheidung dünner Silberschichten aus metallorganischen Precursoren

点击翻译按钮获取中文摘要

Für Anwendungen in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik soll ein CVD-Gesamtprozess zur Abscheidung großflächiger, homogener Silberschichten auf Siliciumsubstraten entwickelt werden. Hierzu sollen neue, potentiell geeignete Precursoren synthetisiert und im Abscheidungsprozess getestet werden. Untersuchungen zum Wachstumsmechanismus sollen Hinweise bezüglich der Konzeption und Optimierung des Prozesses liefern, die sowohl in die Synthese geeigneter Vorläuferverbindungen als auch in die Gestaltung des Depositionsprozesses einfließen. Der Schichtabscheideprozeß wird für aussichtsreiche Precursorsysteme entwickelt, und die erzeugten Schichten werden hinsichtlich ihrer chemischen Zusammensetzung und Homogenität analysiert sowie bezüglich ihrer Mikrostruktur, ihrer mechanischen und elektrischen Eigenschaften untersucht.