课题基金 / 基金详情

Herstellung und Charakterisierung der ferroelektrischen Schichten Strontium-Bismut-Tantalat aus Ein- und Zweikomponenten-Precursoren

Herstellung und Charakterisierung der ferroelektrischen Schichten Strontium-Bismut-Tantalat aus Ein- und Zweikomponenten-Precursoren
由单组分和双组分前体制备铁电层钽酸锶铋的生产和表征
批准号:
5261575
负责人:
Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2005-12-31

项目摘要

项目成果

Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Im Rahmen des beantragten Vorhabens sollen ferroelektrische Schichten bestehend aus Strontium-Bismut-Tantalat (=SBT, SrBi2Ta2O9) in einer chemischen Gasphasenabscheidung unter Verwendung neu zu entwickelnder bzw. bisher nicht verwendeter metallorganischer Ausgangsmaterialien niedergeschlagen und charakterisiert werden. Bei den metallorganischen Precursoren sollen insbesondere leicht flüchtige Alkyle, Alkoxide und Amide des Bismuts und Tantals sowie speziell substituierte Cyclopentadienylkomplexe des Strontiums zum Einsatz kommen. Aufgrund ihrer veränderbaren permanenten Polarisation, ihrer hohen Dielektrizitätskonstanten, ihrer Zyklusfestigkeit und ihrer pyro- und piezoelektrischen Eigenschaften haben die ferroelektrischen Schichten aus Strontium-Bismut-Tantalat (SBT) ein hohes Anwendungspotential für hoch integrierte, nicht flüchtige ferroelektrische dynamische Speicher und Sensor-Aktor-Systeme. An einer vorhandenen Anlage soll der Schichtabscheidungsprozeß entwickelt und die erzeugten Schichten hinsichtlich ihrer chemischen Zusammensetzung in Abhängigkeit von der Prozeßführung untersucht werden. Besonders umfangreich ist die Eignung möglicher metallorganischer Prozessoren in Verbindung mit entsprechenden Versorgungssystemen zu untersuchen, um mit definierten Massenflüssen der einzelnen Komponenten reproduzierbare Schichten zu gewährleisten. Neben der chemischen Zusammensetzung sollen die Mikrostruktur der Schichten, die mechanischen und optischen sowie die elektrischen Eigenschaften untersucht werden. Zudem wird die Abhängigkeit der ferroelektrischen Eigenschaften von der lateralen Strukturgröße der Schicht breiten Raum bei den Arbeiten einnehmen.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Atomic layer deposited dopant oxide films for doping of germanium and silicon-germanium substrates: Deposition – Flash Lamp Annealing – SIMS metrology
  • 批准号:
    397771392
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
Atomic Layer Deposition of Germanium-Antimony-Telluride
  • 批准号:
    288136928
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
Capacitive and ohmic microelectromechanical switches with bridges made of spring stell, especially for application in high frequency systems
  • 批准号:
    233756290
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
Chemische Gasphasenabscheidung von super-harten Ruthenium-Diborid-Schichten
  • 批准号:
    216711612
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
海外基金