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ECCS-EPSRC - Advanced III-N Devices and Circuit Architectures for mm-Wave Future-Generation Wireless Communications

ECCS-EPSRC - 用于毫米波下一代无线通信的先进 III-N 器件和电路架构

基本信息

批准号：
EP/X012123/1
负责人：
Martin Kuball
金额：
$ 48.74万
依托单位：
University of Bristol
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2023
资助国家：
英国
起止时间：
2023 至无数据
项目状态：
未结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FX012123%2F1
关键词：
ECCS EPSRC Advanced III Devices

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Martin Kuball其他文献

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发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
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M. Ťapajna;N. Killat;J. Moereke;T. Paskova;K. Evans;J. Leach;X. Li;U. Ozgur;H. Morkoç;K. Chabak;A. Crespo;J. Gillespie;R. Fitch;M. Kossler;D. Walker;M. Trejo;G. Via;J. Blevins;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball

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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
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2017
期刊：
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影响因子：
3.1
作者：
W. M. Waller;M. Gajda;S. Pandey;J. Donkers;D. Calton;J. Croon;J. Sonsky;M. Uren;Martin Kuball
通讯作者：
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Elimination of Degenerate Epitaxy in the Growth of High Quality B 12 As 2 Single Crystalline Epitaxial Films

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影响因子：
0
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Yimei Zhu

Growth Mechanisms and Defect Structures of B12As2 Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates

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DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu
通讯作者：
Yimei Zhu